一种碳纳米管阵列电容器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：（1）超顺排碳纳米管阵列的制备；（2）碳纳米管薄膜的制备；（3）碳纳米管薄膜结构的形成；（4）碳纳米管阵列电容器的制备。本发明专利技术的碳纳米管阵列电容器制备方法简单易行，碳纳米管具有良好的导电性能且本身的比表面积大，制得的超级碳纳米管阵列电容器具有较高的比电容量和电导率；碳纳米管薄膜结构包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管，相邻的碳纳米管之间存在多个微孔结构，使得碳纳米管薄膜结构中形成大量的均匀且规则分布的微孔结构，这有利于形成导电性良好的电荷通路。

Preparation method of carbon nanotube array capacitor

The invention discloses a preparation method of carbon nanotube array capacitor, the preparation method comprises the following steps: (1) superaligned carbon nanotube array preparation; (2) the carbon nanotube film preparation; (3) the formation of carbon nanotube film structure; (4) carbon nanotube array capacitors prepared. Carbon nanotube array capacitor the preparation method of the invention is simple, carbon nanotubes have good conductivity and large specific surface area of carbon nanotube array, super capacitors prepared with high specific capacitance and conductivity; carbon nanotube film structure includes a plurality of end to end and aligned carbon nanotubes, a plurality of the microporous structure between adjacent carbon nanotubes, the carbon nanotube film structure in the formation of a large number of uniform and regular distribution of micropore structure, which is conducive to the formation of charge pathway of good conductivity.

【技术实现步骤摘要】
一种碳纳米管阵列电容器的制备方法
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种碳纳米管阵列电容器的制备方法。
技术介绍
随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，以平板电视、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长，带动了碳纳米管阵列电容器产业的发展。现有的碳纳米管阵列电容器一般包括电极、隔膜和电解液溶液，该电极和隔膜都设置在该电解液溶液中。该电极包括一集电体以及设置在该集电体上的电极材料。现有碳纳米管阵列电容器的制备方法通常是将电极材料充分研磨后，在其中加入一定量的粘结剂搅拌均匀，再通过模压法、冷等静压法、热等静压法等压制方法压制在泡沫镍、石墨片、镍片、铝片或铜片等集电体上，即可制成一定形状的电极，然后将电极设置在含隔膜的电解液溶液中即可制成超级碳纳米管阵列电容器，该制备方法较复杂。因此，有必要提供一种具有高电容量和大功率密度的碳纳米管阵列电容器。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，利用碳纳米管良好的导电性能和比表面积，方法简单易行，制得的碳纳米管阵列电容器具有较高的比电容量和电导率。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）超顺排碳纳米管阵列的制备：选取平整基底，在基底表面均匀涂布一催化剂层，放置在650～750℃的空气中预热20～30分钟，然后将预热的基底置于反应炉中，在氮气或氩气的保护环境下加热至900～1000℃，通入碳源气体反应10～20分钟，生长得到高度100～500μm的碳纳米管阵列，堆叠至少两个平行且垂直于基底生长的碳纳米管阵列得到超顺排碳纳米管阵列；（2）碳纳米管薄膜的制备：在步骤（1）制备的超顺排碳纳米管阵列中选取宽度150～180μm的碳纳米管束片段，沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向进行拉伸，获得连续的碳纳米管薄膜；（3）碳纳米...

【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）超顺排碳纳米管阵列的制备：选取平整基底，在基底表面均匀涂布一催化剂层，放置在650～750℃的空气中预热20～30分钟，然后将预热的基底置于反应炉中，在氮气或氩气的保护环境下加热至900～1000℃，通入碳源气体反应10～20分钟，生长得到高度100～500μm的碳纳米管阵列，堆叠至少两个平行且垂直于基底生长的碳纳米管阵列得到超顺排碳纳米管阵列；（2）碳纳米管薄膜的制备：在步骤（1）制备的超顺排碳纳米管阵列中选取宽度150～180μm的碳纳米管束片段，沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向进行拉伸，获得连续的碳纳米管薄膜；（3）碳纳米管薄膜结构的形成：选取两片相同的铜片作为第一基层与第二基层，将至少一层碳纳米管薄膜铺设在基底的表面，形成自支撑的碳纳米管薄膜结构；（4）碳纳米管阵列电容器的制备：选取防静电无纺布作为隔膜层，在隔膜层的两侧分别放置铺设有碳纳米管薄膜结构的第一基层与第二基层，一起放入外壳中，注入电解液后封装得到该碳纳米管阵列电容器。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐仙峰，
申请(专利权)人：合肥择浚电气设备有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34