一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒和水，其还含有乙烯基吡咯烷酮类聚合物。本发明专利技术的抛光液具有较低的多晶硅去除速率，和多晶硅对二氧化硅的去除速率选择比，可减少凹陷，显著提高多晶硅的平坦化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
对于多晶硅的抛光，目前主要应用于两种芯片，一种是DRAM，一种是Flash。后者应用中往往在对多晶硅的抛光中会涉及到对二氧化硅的抛光。 现有技术中，主要以含二氧化硅为研磨颗粒的碱性浆料来抛光多晶硅层和二氧化硅(如HDP)层，其多晶硅的去除速率往往比二氧化硅的除去速率高得多，易导致多晶硅的过量去除而产生凹陷，影响随后的工艺。 US2003/0153189A1公开了一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液及其使用方法。该抛光液包括一种聚合物表面活性剂和一种选自氧化铝和氧化铈的研磨颗粒，该聚合物表面活性剂为聚羧酸酯表面活性剂。用该浆料可以使多晶硅表面大块区域的抛光速率大大高于沟槽内的抛光速率，从而减少凹陷。US2003/0216003 A1和US2004/0163324 A1公开了一种制造Flash的方法。其中包括一种抛光多晶硅的抛光液，该抛光液中包含至少一种含有-N(OH)，-NH(OH)，-NH2(OH)基团的化合物。该浆料的多晶硅与二氧化硅的抛光选择比大于50。US2004/0014321 A1公开了一种包含研磨颗粒和氧化剂的酸性抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光液，含有研磨颗粒和水，其特征在于：其还含有乙烯基吡咯烷酮类聚合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：荆建芬，杨春晓，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]