联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，具有如下分子结构：

Biphenyl substituted adamantane derivatives, single molecule resins, positive photoresist compositions and negative photoresist compositions

The present invention discloses a biphenyl substituted adamantane derivative single molecule resin, which has the following molecular structure:

【技术实现步骤摘要】
联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物
本专利技术涉及材料
更具体地，涉及一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂、正性光刻胶组合物和负性光刻胶组合物。
技术介绍
光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一类通过光束、电子束、离子束或x射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，广泛用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体或绝缘体表面，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是器件微细加工技术中的关键性材料。随着半导体工业的迅速发展，光刻技术要求达到的分辨率也越来越高，相应的对光刻胶材料所能达到的分辨率也提出了更高的要求。传统的光刻胶主体材料采用分子量5000～15000道尔顿的聚合物树脂，这类聚合物树脂通常由于分子体积太大、分子量多分散以及分子链的缠绕等原因影响光刻图案的分辨率和边缘粗糙度，无法满足更为精细的刻线要求。通过化学合成控制的方法，来降低光刻胶主体材料树脂的分子量到一定大小，使其达到单一分子状态，形成单分子树脂，是实现高分辨光刻的一种重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，包括如下分子结构：

【技术特征摘要】
1.一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，包括如下分子结构：其中，式(I)中取代基Ra1～Ra20、式(II)中取代基Rb1～Rb15各自独立地表示氢原子、羟基、甲氧基或酸敏感性取代基，式(I)中的取代基Ra1～Ra20相同或不同，式(II)中的取代基Rb1～Rb15相同或不同，同一苯环上的多个取代基不能同时为氢原子。2.根据权利要求1所述的一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，所述酸敏感性取代基为烷烃类碳酸酯取代基、烷烃类α-醋酸酯取代基或环状缩醛取代基。3.根据权利要求2所述的一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，所述烷烃类碳酸酯取代基结构为：其中Cn表示碳原子数不大于12的烷基，表示取代基与主体结构中苯环的连接键。4.根据权利要求2所述的一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，所述烷烃类α-醋酸酯取代基的结构为其中Cn表示碳原子数不大于12的烷基，表示取代基与主体结构中苯环的连接键。5.根据权利要求2所述的一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，所述环状缩醛取代基的结构为其中m为1至4的任一整数，表示取代基与主体结构中苯环的连接键。6.根据权利要求1或2所述的一种联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂，其特征在于，所述酸敏感性取代基的结构选自中的一种；其中，表示取代基与主体结构中苯环的连接键。7.一种正性光刻胶组合物，其特征在于，所述正性光刻胶组合物包括如权利要求1～6任一所述联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂；其中，所述联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂为式(I)时，其取代基Ra1～Ra20全部或部分为酸敏感性取代基；所述联苯取代金刚烷衍生物单分子树脂为式(II)时，其取代基Rb1～Rb15全部或部分为酸敏感性取代基。8.根据权利要求7所述的正性光刻胶组合物，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金平，李嫕，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11