一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法技术

一种用于锗晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、ｐＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料１０．０％～５０．０％；表面活性剂０．１％～１．０％；ｐＨ值调节剂１．０％～５．０％；螯合剂０．１％～１．０％；去离子水为余量；抛光液的ｐＨ值范围为８～１２，粒径为１５ｎｍ～１００ｎｍ。所述抛光液的制备方法是：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明专利技术的优点是：抛光速率快，平坦度好；粒径小，晶片表面损伤小；抛光液制备简单，容易操作。

【技术实现步骤摘要】
(一)
本专利技术涉及一种抛光液及其制备方法，特别是一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法。(二)
技术介绍
传统的锗片抛光液种类很多，有氧化镁水剂、二氧化锆氧化性溶液、三氧化二铬酸性溶液和铜离子酸性溶液等。由于铬离子、铜离子化学机械抛光表面平坦度较好，曾得到广泛应用。但铬离子、铜离子抛光有如下缺点：由于锗片抛光表面的损伤层较深，因此热氧化层错密度高，大约为105-106cm-2；其次铜离子抛光易产生金属离子沾污，引起二次缺陷及电特性的变化。(三)
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了现有用于锗晶片的抛光液制备技术中的缺点，提供一种高效的锗晶片抛光液。本专利技术的技术方案：一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；PH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的PH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。本专利技术所述磨料是指粒径范围为15nm～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、ＰＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料１０．０％～５０．０％；表面活性剂０．１％～１．０％；ＰＨ值调节剂１．０％～５．０％；螯合剂０．１％～１．０％；去离子水为余量；抛光液的ＰＨ值范围为８～１２，粒径为１５ｎｍ～１００ｎｍ。

【技术特征摘要】
1.一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10.0％～50.0％；表面活性剂0.1％～1.0％；PH值调节剂1.0％～5.0％；螯合剂0.1％～1.0％；去离子水为余量；抛光液的PH值范围为8～12，粒径为15nm～100nm。2.根据权利要求1所述的一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：其磨料是指粒径范围为15nm～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。3.根据权利要求1所述的一种用于锗晶片的抛光液，其特征在于：其表面活性剂系采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，
申请(专利权)人：天津晶岭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]