一种用于砷化镓晶片的精抛液制造技术

一种用于砷化镓晶片的精抛液，由磨料、表面活性剂、ｐＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，其特征在于：采用纳米级磨料，如水溶硅溶胶或金属氧化物Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣｅＯ↓［２］或ＴｉＯ↓［２］的水溶胶，其粒径为１０～６０ｎｍ；所占重量百分比为１０～４０％；抛光液ｐＨ值范围为３～６，ｐＨ调节剂为盐酸、硝酸、柠檬酸和乙酰水杨酸中的一种或其组合。本发明专利技术的优点是：该精抛液采用纳米级磨料，对晶片无损伤；由于精抛液呈酸性，因此容易清洗金属离子沾污；且抛光速率快，平整性好。

【技术实现步骤摘要】
(一)
本专利技术涉及一种用于半导体晶片的抛光液，特别是一种用于砷化镓晶片的精抛液。  (二)
技术介绍
砷化镓是一种性能极好的半导体材料。与传统材料硅相比，它不仅能更快地传导电流，还能发出光线。这些优异性能，使得用砷化镓制作的芯片能大幅度提高计算机的运算能力。要获得高质量的砷化镓晶片，必须经过粗抛光和精抛光，而精抛光的好坏会直接影响芯片制造的后续工艺。由于砷化镓材料本身脆性大，所以给材料表面平坦化加工带来了很大难度。目前制备用于砷化镓晶片的精抛液，采用的磨料颗粒较大，精抛光加工时对晶片划伤比较严重，影响晶片质量。另外，由于抛光后晶片有金属离子沾污，因此不易清洗。(三)
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了现有精抛液的缺点，提供一种对晶片无损伤、抛光后易清洗的用于砷化镓晶片的精抛液。本专利技术的技术方案：一种用于砷化镓晶片的精抛液，由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，其特征在于：采用纳米级磨料，其粒径为10～60nm；纳米级磨料所占重量百分比为10～40％；抛光液PH值范围为3～6。本专利技术所述纳米级磨料是指水溶硅溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。一种上述用于砷化镓晶片的精抛液，其特征在于：用PH调节剂将精抛液PH值范围调节为3～6。本专利技术所述PH调节剂是指盐酸、硝酸、柠檬酸和乙酰水杨酸中的一种或其组合。本专利技术的优点是：该精抛液采用纳米级磨料，对晶片无损伤；由于精抛液呈酸性，因此容易清洗金属离子沾污；且抛光速率快，平整性好。-->(四)具体实施方式实施例1：配置400g精抛液所需原料包括：80g水溶硅溶胶磨料，粒径20-40nm；8g四羟基乙基乙二胺；1ml盐酸；2g脂肪醇聚氧乙稀醚；余量加入去离子水。砷化镓精抛液的制备方法为：首先在水溶硅溶胶磨料中加入四羟基乙基乙二胺，边加入边搅拌，然后在上述溶液中加入脂肪醇聚氧乙稀醚，充分搅拌后加入盐酸调节精抛液PH值为3.4，最后通过机械搅拌1小时制得砷化镓精抛液。实验检测结果：用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上，在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下，对砷化镓晶片进行精抛光，测得砷化镓的平均去除速率为0.3微米/分钟，晶片易清洗，表面质量平整良好。实施例2：配置5000g抛光液所需原料包括：750g CeO2水溶胶，粒径30-50nm；70g EDTA，10g柠檬酸，40g烷基醇酰胺，余量加入去离子水。抛光液的制备方法为：首先在CeO2水溶胶中加入EDTA，边加入边搅拌，然后在上述溶液中加入烷基醇酰胺，充分搅拌后加入乙酰水杨酸调节精抛液PH值为4.0，最后通过机械搅拌1小时制得砷化镓精抛液。实验检测结果：用配好的精抛液在风雷C6382I/YJ型抛光机上，在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下，对砷化镓晶片进行抛光，测得砷化镓的平均去除速率为0.5微米/分钟，晶片易清洗，表面质量平整优良。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于砷化镓晶片的精抛液，由磨料、表面活性剂、ＰＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，其特征在于：采用纳米级磨料，其粒径为１０～６０ｎｍ；纳米级磨料所占重量百分比为１０～４０％；抛光液ＰＨ值范围为３～６。

【技术特征摘要】
1.一种用于砷化镓晶片的精抛液，由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，其特征在于：采用纳米级磨料，其粒径为10～60nm；纳米级磨料所占重量百分比为10～40％；抛光液PH值范围为3～6。2.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的精抛液，其特征在于：纳米级...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，李家荣，周云昌，高如山，
申请(专利权)人：天津晶岭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]