一种用于砷化镓晶片的精抛液制造技术

技术编号:1651865 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用于砷化镓晶片的精抛液,由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成,其特征在于:采用纳米级磨料,如水溶硅溶胶或金属氧化物Al↓[2]O↓[3]、CeO↓[2]或TiO↓[2]的水溶胶,其粒径为10~60nm;所占重量百分比为10~40%;抛光液pH值范围为3~6,pH调节剂为盐酸、硝酸、柠檬酸和乙酰水杨酸中的一种或其组合。本发明专利技术的优点是:该精抛液采用纳米级磨料,对晶片无损伤;由于精抛液呈酸性,因此容易清洗金属离子沾污;且抛光速率快,平整性好。

【技术实现步骤摘要】
(一)
本专利技术涉及一种用于半导体晶片的抛光液,特别是一种用于砷化镓晶片的精抛液。  (二)
技术介绍
砷化镓是一种性能极好的半导体材料。与传统材料硅相比,它不仅能更快地传导电流,还能发出光线。这些优异性能,使得用砷化镓制作的芯片能大幅度提高计算机的运算能力。要获得高质量的砷化镓晶片,必须经过粗抛光和精抛光,而精抛光的好坏会直接影响芯片制造的后续工艺。由于砷化镓材料本身脆性大,所以给材料表面平坦化加工带来了很大难度。目前制备用于砷化镓晶片的精抛液,采用的磨料颗粒较大,精抛光加工时对晶片划伤比较严重,影响晶片质量。另外,由于抛光后晶片有金属离子沾污,因此不易清洗。(三)
技术实现思路
本专利技术的目的是克服了现有精抛液的缺点,提供一种对晶片无损伤、抛光后易清洗的用于砷化镓晶片的精抛液。本专利技术的技术方案:一种用于砷化镓晶片的精抛液,由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成,其特征在于:采用纳米级磨料,其粒径为10~60nm;纳米级磨料所占重量百分比为10~40%;抛光液PH值范围为3~6。本专利技术所述纳米级磨料是指水溶硅溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。一种上述用于砷化镓晶片的精抛液,其特征在于:用PH调节剂将精抛液PH值范围调节为3~6。本专利技术所述PH调节剂是指盐酸、硝酸、柠檬酸和乙酰水杨酸中的一种或其组合。本专利技术的优点是:该精抛液采用纳米级磨料,对晶片无损伤;由于精抛液呈酸性,因此容易清洗金属离子沾污;且抛光速率快,平整性好。-->(四)具体实施方式实施例1:配置400g精抛液所需原料包括:80g水溶硅溶胶磨料,粒径20-40nm;8g四羟基乙基乙二胺;1ml盐酸;2g脂肪醇聚氧乙稀醚;余量加入去离子水。砷化镓精抛液的制备方法为:首先在水溶硅溶胶磨料中加入四羟基乙基乙二胺,边加入边搅拌,然后在上述溶液中加入脂肪醇聚氧乙稀醚,充分搅拌后加入盐酸调节精抛液PH值为3.4,最后通过机械搅拌1小时制得砷化镓精抛液。实验检测结果:用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上,在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下,对砷化镓晶片进行精抛光,测得砷化镓的平均去除速率为0.3微米/分钟,晶片易清洗,表面质量平整良好。实施例2:配置5000g抛光液所需原料包括:750g CeO2水溶胶,粒径30-50nm;70g EDTA,10g柠檬酸,40g烷基醇酰胺,余量加入去离子水。抛光液的制备方法为:首先在CeO2水溶胶中加入EDTA,边加入边搅拌,然后在上述溶液中加入烷基醇酰胺,充分搅拌后加入乙酰水杨酸调节精抛液PH值为4.0,最后通过机械搅拌1小时制得砷化镓精抛液。实验检测结果:用配好的精抛液在风雷C6382I/YJ型抛光机上,在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下,对砷化镓晶片进行抛光,测得砷化镓的平均去除速率为0.5微米/分钟,晶片易清洗,表面质量平整优良。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于砷化镓晶片的精抛液,由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成,其特征在于:采用纳米级磨料,其粒径为10~60nm;纳米级磨料所占重量百分比为10~40%;抛光液PH值范围为3~6。

【技术特征摘要】
1.一种用于砷化镓晶片的精抛液,由磨料、表面活性剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成,其特征在于:采用纳米级磨料,其粒径为10~60nm;纳米级磨料所占重量百分比为10~40%;抛光液PH值范围为3~6。2.根据权利要求1所述的用于砷化镓晶片的精抛液,其特征在于:纳米级...

【专利技术属性】
技术研发人员:仲跻和李家荣周云昌高如山
申请(专利权)人:天津晶岭电子材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:12[中国|天津]

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