一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法技术

一种用于硬盘基片的抛光液，由磨料、氧化剂、ｐＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料１０～５０％；氧化剂０．０１～１０％；ｐＨ值调节剂１～６％；螯合剂０．０１～１％；去离子水为余量；抛光液ｐＨ值范围为１１～１２，粒径为１５ｎｍ～１００ｎｍ。所述抛光液的制备方法是：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。本发明专利技术的优点是：抛光液是碱性，不腐蚀污染设备；硬盘基片抛光速率快，平整性好；工艺简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
(一)
：本专利技术涉及一种抛光液及其制备方法，特别是一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法。(二)
技术介绍
：硬盘基片的平面加工技术是制作大容量硬盘的基础，作为数字存储的主要元件，硬盘有着重要的作用。由于硬盘基片材料本身硬度大，加上现在高容量硬盘对硬盘基片表面加工精度的要求不断提高，所以给材料表面平坦化加工带来了很大难度。目前国际上主要采用酸性抛光液进行抛光加工，对设备的损害比较严重。(三)
技术实现思路
：本专利技术的目的在于提供一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法，它是一种碱性的抛光液，使用中对设备无损害，是一种高效实用的抛光液。本专利技术的技术方案：一种用于硬盘基片的抛光液，其特征在于：由磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10～50％；氧化剂0.01～10％；PH值调节剂1～6％；螯合剂0.01～1％；去离子水为余量；抛光液PH值范围为11～12，粒径为15nm～100nm。上述所说的磨料是指粒径范围为15nm～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。上述所说的氧化剂系采用双氧水或硝酸盐。上述所说的PH调节剂是指氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或其组合。上述所说的螯合剂具有水溶性和不含金属离子，可为EDTA、EDTA二钠、羟胺、胺盐和胺中的一种或其组合。一种用于硬盘基片的抛光液制备方法，其特征在于包括以下步骤：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理；然后在千-->级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀；即得到产品。本专利技术的优点是：抛光液是碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；硬盘基片抛光速率快，平整性好；使用不含金属离子的鳌合剂，对有害金属离子的鳌合作用强；采用非离子型表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面产生有效的吸脱作用；工艺简单，成本低。(四)具体实施方式：实施例1：配置200g抛光液所需原料包括：40g CeO2磨料，粒径100-120nm；4g四羟基乙基乙二胺；4g氢氧化钾；20g双氧水；余量加入去离子水。抛光液的制备方法为：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。实验检测结果：上述抛光液PH值为11.2，粒径分布为100-120nm。用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上，在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下，对硬盘基片进行抛光，测得硬盘基片的平均速率为0.1微米/分钟，表面质量良好。实施例2：配置2000g抛光液所需原料包括：750g水溶硅溶胶磨料，粒径60-80nm；30gEDTA，60g氢氧化钾，100g硝酸铁，余量加入去离子水。抛光液的制备方法为：首先将制备抛光液的各种组分分别进行过滤净化处理，然后在千级净化室的环境内，将各种组分在真空负压的动力下，通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌，混合均匀即可。实验检测结果：上述抛光液PH值为10.2，粒径分布为60-80nm。用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上，在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下，对硬盘基片进行抛光，测得硬盘基片的平均速率为0.11微米/分钟，表面质量好。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硬盘基片的抛光液，其特征在于：由磨料、氧化剂、ＰＨ值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料１０～５０％；氧化剂０．０１～１０％；ＰＨ值调节剂１～６％；螯合剂０．０１～１％；去离子水为余量；抛光液ＰＨ值范围为１１～１２。

【技术特征摘要】
1.一种用于硬盘基片的抛光液，其特征在于：由磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为：磨料10～50％；氧化剂0.01～10％；PH值调节剂1～6％；螯合剂0.01～1％；去离子水为余量；抛光液PH值范围为11～12。2.根据权利要求1所述的一种用于硬盘基片的抛光液，其特征在于：其磨料是指粒径范围为15nm～100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。3.根据权利要求1所述的一种用于硬盘基片的抛光液，其特征在于：其表面氧化剂系采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲跻和，李家荣，周云昌，高如山，
申请(专利权)人：天津晶岭电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]