【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抛光液，尤其涉及一种用于抛光低介电材料的抛光液。
技术介绍
在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，一层上面又沉积一层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)，CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫去抛光一集成电路表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。CMP抛光液主要包括磨料、化学试剂和溶剂等。磨料主要为各种无机或有机颗粒，如二氧化硅、氧化铝、二氧化锆、氧化铈、氧化铁、聚合物颗粒和/或它们的混合物等。CMP抛光液的溶剂主要为水或醇类。而化学试剂是用来控制抛光速率和抛光选择比、改善抛光表面性能以及提高抛光液的稳定性，包括氧化剂、络合剂、缓蚀剂和/或表面活性剂等。-->传统绝缘材料(TEOS)由于具有较高的介电常数(3.9 or higher)会导致传导层之间电容增大，...
【技术保护点】
一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括磨料和水，其特征在于：还包括一种或多种金属螯合剂、唑类成膜剂和氧化剂。
【技术特征摘要】
1.一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括磨料和水，其特征在于：还包括一种或多种金属螯合剂、唑类成膜剂和氧化剂。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液还包括表面活性剂。3.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料为SiO2溶胶颗粒、覆盖铝或掺杂铝的SiO2溶胶颗粒、Al2O3颗粒、高聚物颗粒或它们的混合物。4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料的粒径是20～150nm。5.如权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料的粒径是50～120nm。6.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的金属螯合剂为一种或多种有机膦酸或聚有机酸螯合物。7.如权利要求6所述的抛光液，其特征在于：所述的有机膦酸为：2-磷酸丁烷-1，2，4三羧酸、羟基亚乙基二磷酸、2-羟基膦酰基乙酸、氨基三亚甲基磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、乙二胺四亚甲基磷酸、多元醇磷酸酯或多氨基多醚基四亚甲基磷酸。8.如权利要求6所述的抛光液，其特征在于：所述的聚有机酸螯合物为聚环氧琥珀酸、聚天冬氨酸、水解聚马来酸酐、聚马来酸酐-聚丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物、丙烯酸-丙烯酸羟丙酯共聚物或丙烯酸-丙烯酸酯-磷酸-磺酸盐共聚物。9.如权利要求6所述的抛光液，其特征在于：所述的金属螯合剂重量百分比浓度为0.01～2％。10.如权利要求9所述的抛光液，其特征在于：所述的金属螯合剂重量百分比浓度为0.1～1％。11.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的唑类成膜剂包括苯并三氮唑及其衍生物、1-苯基-5-巯基-四氮唑、2-巯基-苯并噻唑、苯并咪唑或2-巯基苯并咪唑。12.如权利要求11所述的抛光液，其特征在于：所述的唑类成膜剂重量百分比浓度为0.01～1％。13.如权利要求12所述的抛光液，其特征在于：所述的唑类成膜剂重量百分比浓度为0.1～0.5％。14.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂为H2O2、过硫酸及其盐或有机过氧化物。15.如权利要求14所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂重量百分比浓度为0～10％。16.如权利要求15所述的抛光液，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，陈国栋，荆建芬，姚颖，宋成兵，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]
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