用于抛光低介电材料的抛光液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。本发明专利技术的抛光液对低介电材料ＣＤＯ以及ＴＥＯＳ、ＳｉＯＮ等材料的抛光具有促进作用，但对钽、铜的抛光速率无明显的影响，因此可以大大提供衬底的抛光选择性，并且本发明专利技术的抛光液可以大大降低衬底表面的刮痕、腐蚀、点蚀等衬底表面缺陷问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光液，尤其涉及一种用于抛光低介电材料的抛光液。
技术介绍
在集成电路制造中，互连技术的标准在提高，一层上面又沉积一层，使得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)，CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫去抛光一集成电路表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同时在衬底背面保持向下的力，将磨料和化学活性溶液(通常称为抛光液或抛光浆料)涂于垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应开始进行抛光过程。CMP抛光液主要包括磨料、化学试剂和溶剂等。磨料主要为各种无机或有机颗粒，如二氧化硅、氧化铝、二氧化锆、氧化铈、氧化铁、聚合物颗粒和/或它们的混合物等。CMP抛光液的溶剂主要为水或醇类。而化学试剂是用来控制抛光速率和抛光选择比、改善抛光表面性能以及提高抛光液的稳定性，包括氧化剂、络合剂、缓蚀剂和/或表面活性剂等。在一些公开专利中，铵盐和季铵类物质被用来调节一些非金属物质的抛光速率，如在CN 1498931A中，在二氧化硅为磨料的抛光液中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：其还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。

【技术特征摘要】
1.一种用于抛光低介电材料的抛光液，该抛光液包括掺铝二氧化硅磨料和水，其特征在于：其还包括含铵根离子或季铵类的小分子活性物质。2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的活性物质包括氨水、五硼酸铵、酒石酸铵、四甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和/或四丁基四氟硼酸铵。3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的活性物质的用量为0.001～0.5％。4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料的浓度为1～20％。5.如权利要求1～4任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的掺铝二氧化硅磨料为溶胶型掺铝二氧化硅分散液。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国栋，宋伟红，荆建芬，徐春，顾元，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]