用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法，本发明专利技术的用于精细表面平整处理的抛光液包括磨料和水，其特征在于：所述的磨料是溶胶型掺铝二氧化硅磨料，该溶胶型掺铝二氧化硅磨料为掺铝二氧化硅的水分散液。本发明专利技术的用于精细表面平整处理的抛光液在进行化学机械抛光时，向下压力为０．５～３ｐｓｉ。本发明专利技术的含溶胶型掺铝二氧化硅磨料的抛光液可以有效去除Ｔａ、ＴａＮ、ＴＥＯＳ、ＦＳＧ、ＢＤ或其它低介电材料等各种材料，并且对低介电材料的除去速率可提高２倍以上，并可获得优异的平坦效果。

【技术实现步骤摘要】
用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法
本专利技术涉及一种用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展，甚大规模集成电路芯片集成度已达几十亿个元器件，特征尺寸已经进入纳米级，这就要求微电子工艺中的几百道工序，尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械全局平整化，而化学机械抛光(CMP)已被证明是最好的平整化方法。在典型的化学机械抛光方法中，将基底被抛光表面直接与旋转抛光垫接触，同时在基底背面施加压力。在抛光期间，抛光垫随操作台旋转，同时在基底背面保持向下压力，将磨料和化学活性溶液组成的液体(通常称为抛光液)涂布于抛光垫片上，该抛光液与正在抛光的薄膜发生化学反应和机械作用开始进行抛光过程。抛光液在CMP中是一种重要的因素，而可根据制程的需要来选取抛光液中的成分来调节抛光液的抛光性能。为了获得更好的抛光性能，现有技术中公开了各种含有磨料的抛光液，如：US 6,974,777、US6,971,945、US 6,326,305、US 6,976,904和US 6,916,742等。而专利US5382272、US 5,858,813和US 5,954,997本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于精细表面平整处理的抛光液，其包括磨料和水，其特征在于：所述的磨料是溶胶型掺铝二氧化硅磨料，该溶胶型掺铝二氧化硅磨料为掺铝二氧化硅的水分散液。

【技术特征摘要】
1、一种用于精细表面平整处理的抛光液，其包括磨料和水，其特征在于：所述的磨料是溶胶型掺铝二氧化硅磨料，该溶胶型掺铝二氧化硅磨料为掺铝二氧化硅的水分散液。2、如权利要求1所述的抛光液，其特征在于该溶胶型掺铝二氧化硅的制备工艺是：将铝盐溶液在室温下加入至含有稳定剂的碱性溶液中，再将硅酸溶液以梯度速率加至该溶液中，以形成溶胶；或者是，将硅酸溶液与铝盐溶液混合，然后再以梯度速率滴入碱性溶液中，以形成溶胶。3、如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料中，铝的重量占二氧化硅重量的0.0001～35％。4、如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料的粒径是5～1000nm。5、如权利要求4所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料的粒径是5～500nm。6、如权利要求5所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料的粒径是5～200nm。7、如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料的比表面积是5～600m2/g。8、如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述的溶胶型掺铝二氧化硅磨料的比表面积是50～200m2/g。9、如权利要求1～8任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的磨料的质量浓度为0.2～30％，水为余量。10、如权利要求1～8任一项所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液的pH为2～13。11、如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液的pH为2～5。12、如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述的抛光液的pH为10～13。13、如权利要求1～8任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈国栋，王淑敏，俞昌，宋伟红，顾元，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]