UHV LDMOS 器件制造技术

本发明专利技术提供一种UHV LDMOS器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区被所述第二有源区包围，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区中形成有源区，且包围所述端部的所述第二有源区中不设置所述源区；所述端部与所述第二有源区之间的所述半导体衬底中形成有多个第一掺杂区。本发明专利技术中，第一掺杂区可以用于调节UHV LDMOS器件中N型和P型载流子的浓度，使得UHV LDMOS器件中的N型和P型载流子的浓度平衡。并且，防止端部处的器件击穿，从而提高器件的耐压性能。

UHV LDMOS device

The invention provides a UHV LDMOS device includes: a semiconductor substrate includes first and second active regions of the semiconductor substrate, surrounded by the second active region of the first active region and the first active region has at least one end; a drain region is formed by the first active region. The second active region formed in the active region, the source region does not set the second active region and surrounding the end; a plurality of first doped region formed in the semiconductor substrate between the end and the second active region in. In the invention, the first doped region can be used for adjusting the concentration of N type and P type UHV LDMOS device carrier, the concentration balance of N type and P type UHV carrier in LDMOS devices. Moreover, the breakdown of the device at the end is prevented, so as to improve the withstand voltage performance of the device.

【技术实现步骤摘要】
UHVLDMOS器件
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种UHVLDMOS器件。
技术介绍
横向扩散金属氧化物半导体(LateralDiffusedMedal-Oxide-Semiconductor，LDMOS)主要应用于功率集成电路，例如面向移动电话基站的射频功率放大器，也可以应用于高频(HF)、特高频(VHF)与超高频(UHF)广播传输器以及微波雷达与导航系统等。LDMOS技术为新一代基站放大器带来较高的功率峰均比、更高增益与线性度，同时为多媒体服务带来更高的数据传输率。对于用作功率集成电路的LDMOS器件，其导通电阻(Rdson)和击穿电压(BreakdownVoltage，BV)是衡量其器件性能的两个重要指标，LDMOS器件的击穿电压是指在栅极源极接地的情况下，在LDMOS器件击穿前能够连续加在漏极上的最高的瞬间电压值。LDMOS器件的俯视图参考图1中所示，图1中仅给出LDMOS器件的第一有源区1和第二有源区2，第二有源区2靠近第一有源区1的端部11的部分曲率半径较小，导致器件中该区域的击穿电压较小，若该区域被击穿，则影响整个器件的性能。因此，提高该区域的击穿电压对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种UHV LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第二有源区包围所述第一有源区，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区未包围所述端部的部分中形成有源区；所述端部与所述第二有源区之间的所述半导体衬底中形成有多个第一掺杂区。

【技术特征摘要】
1.一种UHVLDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第二有源区包围所述第一有源区，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区未包围所述端部的部分中形成有源区；所述端部与所述第二有源区之间的所述半导体衬底中形成有多个第一掺杂区。2.如权利要求1所述的UHVLDMOS器件，其特征在于，所述第二有源区未包围所述端部的部分与所述漏区之间还设置有第二掺杂区。3.如权利要求1所述的UHVLDMOS器件，其特征在于，所述第一有源区成“H”字形、“王”字形或长条形，所述端部成弧形。4.如权利要求1所述的UHVLDMOS器件，其特征在于，所述第一有源区和所述第二有源区均为N型掺杂。5.如权利要求1所述的UHVLDMOS器件，其特征在于，还包括：形成于所述源区上的第一通孔和形成于所述漏区上的第二通孔。6.如权利要求1所述的UHVLDMOS器件，其特征在于，所述半导体衬底中还包括相邻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31