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本发明提供一种UHV LDMOS器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区被所述第二有源区包围，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区中形成有源区，且包围所述端部的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。