一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有的TFT基板制作工艺较为复杂、亟需有效的方式既能减少光刻工艺又不会降低产品良率的问题。该制作方法包括：在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；在源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；依次对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，在第一绝缘层薄膜、第一遮挡电极和平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；在第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使第一桥接电极至少完全覆盖第一通孔的区域、且与源漏极金属层图案连接。

Method for manufacturing array substrate, array substrate and display device

Manufacturing method, the invention relates to an array substrate array substrate and display device, in order to solve the existing TFT substrate production process is complex and need the effective way to not only reduce the lithography process and will not reduce the yield rate of the product problems. The production method includes: a gate metal layer pattern, a gate layer film, active layer pattern and source drain metal insulating layer pattern is formed on a substrate; drain metal layer pattern in the source are successively formed on the planarization layer film, a first electrode layer pattern, a first insulating layer and the photoresist film pattern of the first; the insulating layer of flat film etch layer film on the first insulating layer, the first shielding film electrode and a planarization layer formed in the films through holes constitute the first through hole; the second electrode layer on the first insulation pattern includes a first electrode layer formed on the thin film bridge, and the first bridge electrode completely covers the first pass at least the hole area, and source and drain connection electrode metal layer pattern.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及阵列基板
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，在液晶显示面板的制作中，尤其是制作TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)基板的工艺中，制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，分别为栅极、有源层、源漏极、平坦化层、第一钝化层、过孔和像素电极；或者是，栅极、有源层&源漏极、第一钝化层、平坦化层、公共电极、过孔和像素电极。多次的掩膜曝光，不仅增加了制程时间和生产成本，而且加大了工艺的难度，容易出现由于对位精度不足引起的不良，使产品良率下降。为了减少光刻工艺的次数，降低制程时间和生产成本，现有技术中提出了通过使电极与平坦化层共用一道光刻工艺来减少TFT基板的光刻工艺，进而可以通过五道光刻工艺制作阵列基板，形成如图1a所示的结构，具体的，在衬底基板10上通过第一道光刻工艺形成栅极金属层的图案(图中并未示出)，通过第二道光刻工艺形成有源层11和源漏极层12的图案，通过第三道光刻工艺形成第一电极层13的图案和平坦化层14的图案，通过第四道光刻工艺形成栅极绝缘层15薄膜(有的通孔需要进行刻蚀，图1中的不需要)、第一绝缘层16薄膜、第二绝缘层17薄膜上的过孔，通过第五道光刻工艺形成第二电极层18的图案。其中，第三道光刻工艺之后，容易在第一电极层13的图案和平坦化层14的图案之间形成凸出部13t，即形成如图1b所示的结构，不利于后续制作第二电极层108时电极层材料的爬坡，使产品良率下降。另外，第四道光刻工艺刻蚀过孔时需要实现孔套孔的刻蚀，此时为了能更好的刻蚀第一绝缘层薄膜和第二绝缘层薄膜，需要将第一电极层和平坦化层上的过孔的孔径设置的很大，才能满足刻蚀要求，但平坦化层上的过孔孔径偏大，会影响开口率及后续的制程。另外，由于栅极绝缘层薄膜、第一绝缘层薄膜和第二绝缘层薄膜是通过不同的光刻工艺形成，因此，在各个膜层刻蚀过孔时，容易出现由于对位精度不足引起的不良，使产品良率下降。综上所述，现有的TFT基板制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，目前，亟需有效的方式在减少光刻工艺的同时又不会降低产品的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有的TFT基板制作工艺较为复杂，一般需进行七道光刻工艺，目前，亟需有效的方式在减少光刻工艺的同时又不会降低产品良率的问题。本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；在所述源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜、所述第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；在所述第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使所述第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且与所述源漏极金属层图案连接。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：在衬底基板上依次设置的栅极金属层图案、栅极绝缘层、有源层图案、源漏极金属层图案、平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和第二电极层图案；其中，在所述第一绝缘层薄膜、所述第一电极层图案中的第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；所述第二电极层图案中包括的第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且分别与所述第一遮挡电极和所述源漏极金属层图案连接。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括如本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，通过优化阵列基板的制作方法，对阵列基板中需要刻蚀过孔以构成通孔的多个膜层的制作工艺进行了改进，需要在源漏极金属层图案上形成一整层的平坦化层薄膜，再通过一道光刻工艺在平坦化层薄膜上形成包括第一遮挡电极的第一电极层图案，然后再通过一道光刻工艺形成光刻胶图案，以光刻胶图案和第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜进行干刻工艺，由于本专利技术是在制作完第一电极层图案和一整层的第一绝缘层薄膜之后，才形成的第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜上的过孔，没有采用现有技术中孔套孔的刻蚀工艺，而且由于本专利技术的第一电极层图案中包括在对平坦化层进行干刻工艺时用于遮挡的第一遮挡电极，因此本专利技术中的制作方法可以无需加大平坦化层中的过孔孔径，即可满足刻蚀要求，进而可以提高开口率及后续制程的良率。另外，本专利技术中的阵列基板的制作方法，仅需要五道光刻工艺即可制作出阵列基板，相比于现有技术，由于本专利技术中可以仅通过一道光刻工艺形成第一绝缘层薄膜和平坦化层薄膜中的过孔，因此可以减少由不同光刻工艺制作而引起的对位精度不足带来的影响，不仅可以减少光刻工艺，而且不会降低产品的良率。附图说明图1a为现有技术中阵列基板的结构示意图；图1b为现有技术中在阵列基板上的第一电极层中形成凸出部分后的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的基本步骤流程图；图3为本专利技术实施例提供的第一种结构阵列基板的整体结构俯视图；图4a为本专利技术实施例提供的图3中P的局部放大图；图4b为本专利技术实施例提供的与图4a对应的第一电极层的结构示意图；图4c为本专利技术实施例提供的与图4a对应的第二电极层的结构示意图；图5a为本专利技术实施例提供的在第二种结构阵列基板上形成第一通孔后的单个像素单元的俯视图；图5b为本专利技术实施例提供的与图5a对应的第一电极层的结构示意图；图5c为本专利技术实施例提供的与图5a对应的第二电极层的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的图4a中沿C-C’方向的截面结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的图5a中沿D-D’方向的截面结构示意图；图8a-图8k分别为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法中各步骤执行后的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的在各个膜层中形成第一通孔的过孔的步骤流程图；图10为本专利技术实施例提供的与图6对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之前的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的采用湿刻工艺刻蚀第一电极层图案之后的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第一通孔的制作方法的整体步骤流程图；图14为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的基本步骤流程图；图15为本专利技术实施例提供的图4a中沿E-E’方向的截面结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的图5a中沿F-F’方向的截面结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的在各个膜层中形成第二通孔的过孔的步骤流程图；图18a-图18b分别为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法中步骤143执行后的结构示意图；图19为本专利技术实施例提供的与图15对应的且包括第二绝缘层的截面结构示意图；图20为本专利技术实施例提供的在阵列基板上形成第二通孔的制作方法的整体步骤流程图；图21a为本专利技术实施例提供的在阵列基板的非显示区域中形成第一通孔的俯视图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；在所述源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜、所述第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；在所述第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使所述第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且与所述源漏极金属层图案连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅极金属层图案、栅极绝缘层薄膜、有源层图案和源漏极金属层图案；在所述源漏极金属层图案上依次形成平坦化层薄膜、第一电极层图案、第一绝缘层薄膜和光刻胶图案；以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜、所述第一遮挡电极和所述平坦化层薄膜中形成的过孔构成第一通孔；在所述第一绝缘层薄膜上形成包括第一桥接电极的第二电极层图案，并使所述第一桥接电极至少完全覆盖所述第一通孔的区域、且与所述源漏极金属层图案连接。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成光刻胶图案之后，在形成第二电极层图案之前，该方法还包括：在形成第一通孔的同时，以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第二遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜、所述平坦化层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜进行干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜、所述第二遮挡电极、所述平坦化层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜中形成的过孔构成第二通孔；形成第二电极层图案，还包括：在所述第一绝缘层薄膜上形成包括第二桥接电极的第二电极层图案，并使所述第二桥接电极至少完全覆盖所述第二通孔的区域、且与所述栅极金属层图案连接。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成第一通孔的同时，以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第二遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜、所述平坦化层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜进行干刻工艺，包括：在形成第一通孔的同时，以所述光刻胶图案为遮挡，对所述第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜形成用于构成所述第二通孔的过孔，且在所述第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分所述第二遮挡电极；以所述光刻胶图案和露出的部分所述第二遮挡电极为遮挡，对所述平坦化层薄膜采用干刻工艺，在所述平坦化层薄膜中形成用于构成所述第二通孔的过孔；以所述光刻胶图案和露出的部分所述第二遮挡电极为遮挡，对所述栅极绝缘层薄膜采用干刻工艺，在所述栅极绝缘层薄膜中形成用于构成所述第二通孔的过孔。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在依次对所述第一绝缘层薄膜、所述平坦化层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜进行干刻工艺之后，在形成第二电极层图案之前，还包括：采用湿刻工艺，去除部分露出的所述第二遮挡电极，以使所述第二遮挡电极中的过孔孔径大于所述所述平坦化层薄膜中过孔孔径。5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，以所述光刻胶图案和所述第一电极层图案中的第一遮挡电极为遮挡，依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺，包括：以所述光刻胶图案为遮挡，对所述第一绝缘层薄膜采用干刻工艺，在所述第一绝缘层薄膜形成用于构成所述第一通孔的过孔，且在所述第一绝缘层薄膜中形成的过孔能够露出部分所述第一遮挡电极；以所述光刻胶图案和露出的部分所述第一遮挡电极为遮挡，对所述平坦化层薄膜采用干刻工艺，在所述平坦化层薄膜中形成用于构成所述第一通孔的过孔。6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在依次对所述第一绝缘层薄膜和所述平坦化层薄膜进行干刻工艺之后，在形成第二电极层图案之前，还包括：采用湿刻工艺，去除部分露出的所述第一遮挡电极，以使所述第一遮挡电极中的过孔孔径大于所述所述平坦化层薄膜中过孔孔径。7.如权利要求4或6所述的制作方法，其特征在于，在采用湿刻工艺之后，在形成第二电极层图案之前，还包括：对所述第一绝缘层薄膜和/或所述栅极绝缘层薄膜采用干刻工艺。8.如权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成源漏极金属层图案之后，在形成平坦化层薄膜之前，该方法还包括：在所述源漏极金属层图案上形成第二绝缘层薄膜。9.如权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴文君，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31