阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法制造方法及图纸

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法。制作方法采用第一掩膜版制作栅极线与像素电极，采用第二掩膜版制作薄膜晶体管与触控信号线、采用第三掩膜版制作第一过孔与第二过孔，采用第四掩膜版制作公共电极层，且公共电极层包括第一连接结构和公共电极单元，公共电极单元包括第二连接结构，第一连接结构通过第一过孔与漏极、像素电极均接触；第二连接结构通过第二过孔与触控信号线接触。本申请通过四块掩膜版实现了阵列基板的制作，减少了掩膜版的数量，能够降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示面板广泛应用于移动终端、家用电视、数字相机、计算机等显示设备中。液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与封装基板之间的液晶。内置触控液晶显示将实现触控功能的触控电极集成在阵列基板或者彩膜基板。其中，当触控电极集成在阵列基板上时，该阵列基板包括像素电极、栅极线、有源层、源漏层、触控信号线以及触控电极、目前较为常用的方法为采用六个掩膜版逐层制作，甚至有的采用八个掩膜版制作用于触控显示的阵列基板。显然，采用上述方式，需要的掩膜版的数量较多，增加制造成本。
技术实现思路
本申请提供了一种显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法，能够解决上述问题。本申请的第一方面提供了一种阵列基板的制作方法，包括：使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电极；在所述栅极线和所述像素电极远离所述衬底基板的外侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和所述像素电极；使用第二掩膜版在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层和源漏层，所述源漏层包括源极、漏极、数据信号线和触控信号线，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接；在所述有源层和所述源漏层远离所述衬底基板的外侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述源漏层；使用第三掩膜版形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二过孔贯通所述第二绝缘层，且所述像素电极的至少一部分、所述漏极的至少一部分裸露于所述第二过孔，所述触控信号线的至少一部分裸露于所述第一过孔；使用第四掩膜版形成具有多个公共电极单元的公共电极层，所述公共电极层还包括第一连接结构，各所述公共电极单元包括第二连接结构，所述第一连接结构、所述第二连接结构相互绝缘，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述漏极、所述像素电极均接触；所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述触控信号线接触。本申请的第二方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板的一侧的栅极线、像素电极、第一绝缘层、有源层和源漏层、第二绝缘层和公共电极层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和所述像素电极；所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述源漏层；所述源漏层包括源极、漏极、数据信号线和触控信号线，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接；所述公共电极层包括多个公共电极单元和第一连接结构，各所述公共电极单元包括与所述第一连接结构绝缘的第二连接结构；所述阵列基板还设置有贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第一过孔、贯穿所述第二绝缘层的第二过孔，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述漏极接触，所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述触控信号线接触。本申请的第三方面提供了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。本申请的第四方面提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：本申请所提供的阵列基板的制作方法，栅极线与像素电极采用一块掩膜版制作；薄膜晶体管与触控信号线采用一块掩膜版制作，使触控信号线与源极、漏极同层制作；第一过孔和第二过孔采用一块掩膜版制作，以及公共电极层采用一块掩膜版制作，使第一连接结构、第二连接结构(即触控电极)以及其它公共电极同层制作，且使第一连接结构同时与漏极、像素电极电连接，第二连接结构与触控信号线电连接，即将公共电极复用为触控电极，从而通过四块掩膜版实现了用于触控显示的阵列基板的制作，显然，采用这种方式制造用于触控显示的阵列基板的过程中，减少了掩膜版的数量，能够降低制造成本。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。附图说明图1为本申请所提供的阵列基板的制作方法的流程图；图2为本申请所提供的阵列基板的制作方法中，使用的第一掩膜版的结构示意图；图3为本申请所提供的阵列基板的制作方法中，使用的第二掩膜版的结构示意图；图4为本申请所提供的阵列基板的制作方法中，使用的第三掩膜版的结构示意图；图5为本申请所提供的阵列基板的制作方法中，使用的第四掩膜版的结构示意图；图6A-6K为本申请实施例提供的制作方法中，各子步骤形成的结构的结构示意图；图7为本申请所提供的阵列基板的一种具体实施例的局部剖视图；图8为本申请所提供的阵列基板的一种具体实施例的俯视图；图9为本申请所提供的阵列基板中，各公共电极单元与触控信号线连接的结构示意图。附图标记：10-衬底基板；110-第一导体层；11a-像素电极；111a-第一像素电极；112a-第二像素电极；113a-第三像素电极；114a-第四像素电极；11b-第一辅助电极；120-第二导体层；12a-栅极；12b-第二辅助电极；12c-栅极线；121c-第一栅极线边缘；122c-第二栅极线边缘；1201-第一未覆盖区域；130-第一绝缘层；140-半导体层；14a-有源层；14b-第三辅助电极；150-第三导体层；15-源漏层；15a-源极；15b-漏极；15c-触控信号线；151c-延伸部；152c-凸起部；153c-第一触控信号线边缘；154c-第二触控信号线边缘；15d-数据信号线；1501-第二未覆盖区域；160-第二绝缘层；16a-第一过孔；16b-第二过孔；170-第四导体层；17-公共电极层；17a-第一连接结构；17b-公共电极单元；171b-第二连接结构；17c-横向刻缝；171c-第一横向刻缝边缘；172c-第二横向刻缝边缘；17d-纵向刻缝；171d-第一纵向刻缝边缘；172d-第二纵向刻缝边缘；102-第一光刻胶层；1021-第一光刻胶图案；1022-第二光刻胶图案；103-第二光刻胶层；1031-第三光刻胶图案；1032-第四光刻胶图案；104-第三光刻胶层；1041-第五光刻胶图案；1042-第一裸露区；1043-第二裸露区；105-第四光刻胶层；1051-第六光刻胶图案；20-集成电路板；M1-第一掩膜版；M11-第一全透光区；M12-第一部分透光区；M13-第一不透光区；M2-第二掩膜版；M21-第二全透光区；M22-第二部分透光区；M23-第二不透光区；M3-第三掩膜版；M31-第三全透光区；M32-第三不透光区；M4-第四掩膜版；M41-第四全透光区；M42-第四不透光区。此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。具体实施方式下面通过具体的实施例并结合附图对本申请做进一步的详细描述。需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一个元件“上”或者“下”。请结合图1，图1为本申请所提供的阵列基板的制作方法的流程图。本申请实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板可以为用于触控显示的阵列基板，包括：S10：使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电极；在所述栅极线和所述像素电极远离所述衬底基板的外侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和所述像素电极；使用第二掩膜版在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层和源漏层，所述源漏层包括源极、漏极、数据信号线和触控信号线，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接；在所述有源层和所述源漏层远离所述衬底基板的外侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述源漏层；使用第三掩膜版形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二过孔贯通所述第二绝缘层，且所述像素电极的至少一部分、所述漏极的至少一部分裸露于所述第二过孔，所述触控信号线的至少一部分裸露于所述第一过孔；使用第四掩膜版形成具有多个公共电极单元的公共电极层，所述公共电极层还包括第一连接结构，各所述公共电极单元包括第二连接结构，所述第一连接结构、所述第二连接结构相互绝缘，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述漏极、所述像素电极均接触；所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述触控信号线接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电极；在所述栅极线和所述像素电极远离所述衬底基板的外侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和所述像素电极；使用第二掩膜版在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层和源漏层，所述源漏层包括源极、漏极、数据信号线和触控信号线，所述源极和所述漏极均与所述有源层电连接；在所述有源层和所述源漏层远离所述衬底基板的外侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述有源层和所述源漏层；使用第三掩膜版形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二过孔贯通所述第二绝缘层，且所述像素电极的至少一部分、所述漏极的至少一部分裸露于所述第二过孔，所述触控信号线的至少一部分裸露于所述第一过孔；使用第四掩膜版形成具有多个公共电极单元的公共电极层，所述公共电极层还包括第一连接结构，各所述公共电极单元包括第二连接结构，所述第一连接结构、所述第二连接结构相互绝缘，所述第一连接结构通过所述第一过孔与所述漏极、所述像素电极均接触；所述第二连接结构通过所述第二过孔与所述触控信号线接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜版为半调色掩膜版；所述使用第一掩膜版在衬底基板的一侧形成栅极线和像素电极包括：在所述衬底基板的一侧依次形成第一导体层和第二导体层，且所述第一导体层较所述第二导体层靠近所述衬底基板；使用所述第一掩膜版使所述第一导体层形成所述像素电极，使所述第一导体层和所述第二导体层形成所述栅极线；其中，在形成所述栅极线的同时形成栅极，所述栅极线沿其延伸方向与多个所述栅极连接。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述使用第二掩膜版在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成有源层和源漏层中包括：使用所述第二掩膜版使所述源漏层形成相互连接的延伸部和凸起部，以形成所述触控信号线；所述延伸部为条状结构，在所述栅极线的延伸方向上，所述凸起部从所述延伸部的一侧凸出；所述第二连接结构通过所述凸起部与所述触控信号线接触。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：使用所述第四掩膜版使所述公共电极层形成多条纵横交错的横向刻缝和纵向刻缝，以形成多个所述公共电极单元；所述横向刻缝的延伸方向与所述触控信号线的延伸方向垂直，所述纵向刻缝的延伸方向与所述触控信号线的延伸方向平行；沿垂直于所述衬底基板的方向，所述横向刻缝在所述衬底基板的投影位于所述触控信号线延伸方向上两个相邻的所述像素电极之间；沿垂直于所述衬底基板的方向，所述触控信号线在所述衬底基板的投影位于所述栅极线延伸方向上两个相邻的所述像素电极之间。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述栅极线在所述衬底基板的投影与多个所述公共电极单元在所述衬底基板的投影交叠；所述触控信号线在所述衬底基板的投影与多个所述公共电极单元在所述衬底基板的投影交叠。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述横向刻缝在所述衬底基板的投影具有在所述触控信号线的延伸方向上相对的第一横向刻缝边缘和第二横向刻缝边缘，所述栅极线在所述衬底基板的投影具有在所述触控信号线的延伸方向上相对的第一栅极线边缘和第二栅极线边缘；所述第一横向刻缝边缘与所述第一栅极线边缘重叠，且所述第二横向刻缝边缘与所述第二栅极线边缘分别位于所述第一横向刻缝边缘的两侧。7.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、设置在所述衬底基板的一侧的栅极线、像素电极、第一绝缘层、有源层和源漏层、第二绝缘层和公共电极层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线和...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧俊，朱雪婧，曹兆铿，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31