一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以使绝缘层的上表面不因绝缘层覆盖第一导电图案而凹凸不平。一种包含导电图案的基板的制备方法，包括：在承载层上形成金属薄膜，并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层；去除所述光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层，所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。

Substrate containing conductive pattern and its preparation method and display device

The embodiment of the invention provides a substrate and a preparation method thereof, display device includes a conductive pattern, relates to the technical field of display, can make the upper surface of the insulating layer for insulating layer covers the first conductive pattern and uneven. The method includes preparing a substrate, comprising a conductive pattern: in the bearing layer is formed on the metal film and the metal film on the coating, exposure and development to form a photoresist pattern; on the bearing formed by ion implantation of the metal thin film layer on one side of the central part of the coverage in the the metal film is not the photoresist pattern to form a barrier layer; removing the photoresist pattern; on the bearing of the metal film formed on one side of the insulation processing layer, so that the metal film is not the barrier layer shielding section into an insulating layer of the metal. The film is the barrier layer covering part of the first conductive pattern.

【技术实现步骤摘要】
一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在制备阵列基板时，其制备过程一般为在衬底上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、以及源极和漏极。具体的，首先在衬底上形成栅极，与此同时形成栅线；在形成有栅极和栅线的衬底上形成栅绝缘层，由于栅极和栅线是具有一定厚度的图形，因此，导致栅绝缘层与栅极和栅线对应位置处的表面凹凸不平；后续形成有源层，同样的，有源层表面凹凸不平；进一步地，在形成有有源层的衬底上形成导电薄膜，形成导电薄膜常采用溅射的方式，而由于栅绝缘层表面存在凸起，因此，容易造成导电薄膜表面不均匀的问题，即，相较于其他位置，在爬坡位置处的导电薄膜较疏松，进而可能导致源极、漏极、数据线在爬坡位置处断线，影响阵列基板的正常使用。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种包含导电图案的基板及其制备方法、显示装置，可以使绝缘层的上表面不因绝缘层覆盖第一导电图案而凹凸不平。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种包含导电图案的基板的制备方法，包括：在承载层上形成金属薄膜，并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层；去除所述光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层，所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。优选的，所述承载层的上表面为平坦的表面。优选的，对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层，包括：对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行锗离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层。优选的，所述金属薄膜的材料为铝和/或由铝和钛构成的铝钛合金，其中，钛在所述铝钛合金中的质量比为0.5％～5％。对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，包括：对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行氧离子注入，以使得所述金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成主要由氧化铝构成的绝缘层。第二方面，提供一种包含导电图案的基板，包括承载层、依次设置于所述承载层上的第一导电图案、阻挡层、以及绝缘层；所述阻挡层与所述第一导电图案在所述承载层上的正投影重合；所述第一导电图案、所述阻挡层、以及所述绝缘层中位于所述阻挡层上的部分的厚度和，等于所述绝缘层中其他部分的厚度；其中，所述第一导电图案的材料为金属，所述绝缘层的材料为所述金属的化合物。优选的，所述承载层的上表面为平坦的表面。优选的，所述第一导电图案的材料为铝和/或由铝和钛构成的铝钛合金，其中，钛在所述铝钛合金中的质量比为0.5％～5％；所述阻挡层的厚度为优选的，所述包含导电图案的基板还包括设置于所述绝缘层上的第二导电图案，所述第二导电图案跨过所述第一导电图案的至少部分边界。进一步优选的，所述第一导电图案包括栅极和栅线；所述绝缘层为栅绝缘层；所述第二导电图案包括源极、漏极、数据线。第三方面，提供一种显示装置，包括第二方面所述的包含导电图案的基板。本专利技术实施例提供一种包含导电图案的基板及其制备方法，通过在承载层上形成金属薄膜，并在金属薄膜上形成光刻胶图案，以使对承载层的形成有金属薄膜的一侧进行离子注入时，仅在金属薄膜位于第二区域的部分的中部形成阻挡层，再对承载层的形成有金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，以使金属薄膜中未被阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层，金属薄膜中被阻挡层遮挡的部分为第一导电图案，此过程中，由于金属薄膜在各个位置处的厚度均相等，因此，由金属薄膜转化的绝缘层位于第二区域的部分、阻挡层、以及第一导电图案的厚度和，始终等于金属薄膜转化的绝缘层位于第一区域的部分的厚度，相较于现有技术，本专利技术可以使绝缘层的上表面不因绝缘层覆盖第一导电图案而凹凸不平。这样一来，在绝缘层远离承载层一侧形成第二导电图案时，若所述第二导电图案跨过第一导电图案的至少部分边界，则所述第二导电图案不因第一导电图案的图形而出现爬坡现象，进而可避免第二导电图案断线。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板制备方法的流程示意图；图2(a)为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的制备过程示意图一；图2(b)为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的制备过程示意图二；图2(c)为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的制备过程示意图三；图2(d)为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的制备过程示意图四；图3为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的示意图一；图4为本专利技术实施例提供的一种包含导电图案的基板的示意图二。附图标记：10-承载层；11-导电薄膜；12-光刻胶图案；21-第一导电图案；22-阻挡层；23-绝缘层；24-第二导电图案。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种包含导电图案的基板的制备方法，如图1所示，具体包括如下步骤：S10、如图2(a)所示，在承载层10上形成金属薄膜11，并在金属薄膜11上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案12。其中，所述包含导电图案的基板，示例的可以是阵列基板。此处，金属薄膜11的下表面与承载层10的上表面直接接触，承载层10可以是衬底基板，或者也可以是设置于衬底基板上的缓冲层，在此不做限定。在此基础上，金属薄膜11的上表面与承载层10的上表面平行，且金属薄膜11在承载层10上各个位置处的厚度均相等。其中，金属薄膜11中与承载层10接触的表面为金属薄膜11的下表面，金属薄膜11的上表面为金属薄膜11中与所述下表面相对的表面；承载层10中与金属薄膜11接触的表面为承载层10的上表面。需要说明的是，第一，不对金属薄膜11的材料进行限定，只要对金属薄膜11进行绝缘化处理之前，其可以导电；对金属薄膜11进行绝缘化处理之后，其化合物为绝缘材料，并且绝缘化处理后所得的化合物可以使光透过即可。第二，不对金属薄膜11的厚度进行限定，以实际制作过程中，待形成的第一导电图案、阻挡层、以及绝缘层位于第二区域的部分的厚度，来设定金属薄膜11的厚度。此处，包含导电图案的基板中，与光刻胶图案12对应的区域为第一区域，除第一区域以外的区域为第二区域。第三，不对光刻胶图案12的厚度进行限定，只要其在S20中，可以起到阻挡离子注入的作用即可，即，光刻胶图案12可以保护金属薄膜11中位于第一区域的部分，不受S20中离子注入工艺的影响。例如，光刻胶图案12的厚度范围可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含导电图案的基板的制备方法，其特征在于，包括：在承载层上形成金属薄膜，并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层；去除所述光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层，所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。

【技术特征摘要】
1.一种包含导电图案的基板的制备方法，其特征在于，包括：在承载层上形成金属薄膜，并在所述金属薄膜上经涂胶、曝光、显影以形成光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层；去除所述光刻胶图案；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，以使金属薄膜中未被所述阻挡层遮挡的部分转化成绝缘层，所述金属薄膜中被所述阻挡层遮挡的部分为第一导电图案。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述承载层的上表面为平坦的表面。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层，包括：对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行锗离子注入，以在所述金属薄膜中未被所述光刻胶图案覆盖的部分的中部形成阻挡层。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜的材料为铝和/或由铝和钛构成的铝钛合金，其中，钛在所述铝钛合金中的质量比为0.5％～5％；对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行绝缘化处理，包括：对所述承载层的形成有所述金属薄膜的一侧进行氧离子注入，以使得所述金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，汪建国，薛大鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11