一种CMOS器件及其制造方法技术
A CMOS device and its manufacturing method
The present invention provides a method for manufacturing a CMOS device, comprising: providing a substrate having a channel region and the gate dielectric layer channel region on the substrate; forming a barrier layer on the gate dielectric layer on the barrier layer; forming function layer; forming a metal layer on the work function layer; among them, after the formation of the barrier layer, and / or after the formation of the work function layer, and / or forming a metal layer, also includes plasma doping, ion plasma doping ion group four element. The method has high control precision, high flexibility and simple operation, and is more suitable for the multi threshold control of small size devices.
【技术实现步骤摘要】
一种CMOS器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种CMOS器件及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路的集成度不断提高，器件的尺寸不断减小，传统的平面的CMOS(互补金属氧化物半导体)器件很难继续减小关键尺寸，立体器件，如FINFET(鳍式场效应晶体管)器件。在进入纳米节点之后，CMOS器件的阈值电压的调节一直是器件制造中的重点和难点，目前，主要通过离子注入、栅宽(GateLength)、栅介质层厚度以及功函数层来调节器件的阈值电压，而随着器件尺寸的进一步减小，尤其是进入10nm节点以下时，需要对多个阈值电压进行调节，而且由于尺寸减小带来的空间限制及寄生效应的影响，对阈值的调节提出了更高的要求，这些传统的方法已经不能很好地实现多阈值的调控。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种CMOS器件及其制造方法，实现阈值电压的调节。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种CMOS器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有沟道区域以及沟道区域上的栅介质层；在所述栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成功函数层；在所述功函数层上...
【技术保护点】
一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有沟道区域以及沟道区域上的栅介质层；在所述栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成功函数层；在所述功函数层上形成金属层；其中，在形成所述阻挡层之后，和/或形成所述功函数层之后，和/或形成所述金属层之后，还包括：进行等离子掺杂，等离子掺杂的离子为四族元素的离子。
【技术特征摘要】
1.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有沟道区域以及沟道区域上的栅介质层；在所述栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成功函数层；在所述功函数层上形成金属层；其中，在形成所述阻挡层之后，和/或形成所述功函数层之后，和/或形成所述金属层之后，还包括：进行等离子掺杂，等离子掺杂的离子为四族元素的离子。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沟道区域为鳍或纳米线。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层包括：TiN、TaN、TiNx、TaNx或TiNSi。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述CMOS器件为NMOS，所述功函数层包括：Al、TiAl、TiAlx、TiAlCx、TiCx或TaCx。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述CMOS器件为PMOS，所述功函数层包括：TiN、TaN、...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，姚佳欣，叶甜春，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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