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本发明提供一种CMOS器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有沟道区域以及沟道区域上的栅介质层；在所述栅介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成功函数层；在所述功函数层上形成金属层；其中，在形成所述阻挡层之后，和/或形成所述功函数层之后...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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