发光二极管制造技术

一种发光二极管，包括发光二极管芯片及透镜，其特征在于：该发光二极管芯片正对该透镜的入光面,所述透镜用于对发光二极管芯片发出的光线进行调节，该透镜包括入光面及出光面，该出光面位于该透镜的侧向且环绕该入光面，该透镜还包括一反射面，该反射面的中部向该入光面凹陷，该反射面的边缘与该出光面相连，该反射面同时倾斜朝向该入光面及出光面，自该入光面射入该透镜的光线一部分射向该反射面，另一部分直接由出光面射出，该反射面的反射率大于折射率，射向该反射面的一部分光线被反射至该出光面射出透镜，射向该反射面的另一部分光线直接从反射面射出透镜外部，该出光面的透射率大于反射率。

light-emitting diode

A light emitting diode, which comprises a light emitting diode chip and a lens, which is characterized in that the light emitting diode chip on the lens into the surface, the lens for the light emitted from the light emitting diode chip is adjusted, the lens includes a light incident surface and a smooth surface, the lateral light in the lens and surrounding the incident surface, the lens also includes a reflecting surface of the reflecting surface to the light in the central sag, the reflection of the edge connected with the light emitting surface of the reflecting surface at the same time, the light and a tilt toward the surface, since the light into the lens on the part of the light reflecting surface, the other part directly by a smooth injection, the reflecting surface reflectivity greater than the refractive index at the reflecting surface part of the light is reflected to the smooth injection of lens, the reflecting surface at the other part of the light The transmittance of the exit surface is greater than that of reflectivity directly from the reflector.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本申请是申请号为2012101304185、申请日为2012年04月28日、专利技术创造名称为“发光二极管及其透镜”的专利的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管作为一种高效的光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点，已经被广泛的运用于诸多领域，如生活照明、背光光源等。现有的发光二极管的出光角度一般为120°，此较小的出光角度使得发光二极管光源相当于面光源。与传动光源大角度的出光范围相比，发光二极管光源较小的出光角度具有诸多缺失。且最新的美国能源之星要求可替代传统灯泡的发光二极管球泡灯需要角度大于180度。因此如何发挥发光二极管的节能的优势，将光形分布设计达到甚至优于传统光源灯具，以发挥发光二极管的优势加速其在应用领域的推广也是一个亟待解决的问题，对于室内灯具来说这更是一个极大的挑战和商机。由此，发光二极管光源设计中，二次光学设计日益凸显。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种具有较大出光角的发光二极管及其透镜。一种透镜，其用于对发光二极管芯片发出的光线进行调节，该透镜包括入光面及出光面，该出光面位于该透镜的侧向且环绕该入光面，该透镜还包括一反射面，该反射面的中部向该入光面凹陷，该反射面的边缘与该出光面相连，该反射面同时倾斜朝向该入光面及出光面，自该入光面射入该透镜的光线一部分射向该反射面，另一部分直接由出光面射出，该反射面的反射率大于折射率，射向该反射面的一部分光线被反射至该出光面射出透镜，射向该反射面的另一部分光线直接从反射面射出透镜外部，该出光面的透射率大于反射率。一种发光二极管，包括发光二极管芯片及透镜，该透镜其用于对发光二极管芯片发出的光线进行调节，该透镜包括入光面及出光面，该出光面位于该透镜的侧向且环绕该入光面，该透镜还包括一反射面，该反射面的中部向该入光面凹陷，该反射面的边缘与该出光面相连，该反射面同时倾斜朝向该入光面及出光面，自该入光面射入该透镜的光线一部分射向该反射面，另一部分直接由出光面射出，该反射面的反射率大于折射率，射向该反射面的一部分光线被反射至该出光面射出透镜，射向该反射面的另一部分光线直接从反射面射出透镜外部，该出光面的透射率大于反射率，该发光二极管芯片正对该入光面。本专利技术中的发光二极管，其透镜的反射面与入光面及出光面倾斜相对，且该反射面的反射率大于透射率，如此，可保证较多的光线由该反射面反射至位于该透镜侧向的出光面，从而使该发光二极管的出光角度大于180°，获得更大角度的出射光线，接近传统照明灯具的照射范围的效果。附图说明图1为本专利技术一较佳实施例中的发光二极管的剖视图。图2为图1所示的发光二极管的透镜的立体图。图3为图2中的透镜于另一方向的立体图。图4为图1所示发光二极管的工作原理示意图。图5为图1所示发光二极管的配光曲线图。主要元件符号说明如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，本专利技术实施方式提供的发光二极管100包括一基座10、设于该基座10上的发光二极管芯片20及罩设于该发光二极管芯片上的一透镜30。请一并参阅图2至图3，所述透镜30包括相互连接一近光端31及一远光端32，其中该近光端31靠近该发光二极管芯片20，该远光端32远离该发光二极管芯片20，且该近光端31与远光端32共轴。该近光端31的底部朝向该发光二极管芯片20，该近光端31的顶部与该远光端32一体连接。该近光端31大致呈圆柱状，该近光端31包括一第一出光面311及一底壁312。该第一出光面311为该近光端31的圆周面。该底壁312位于该近光端31的底部。该近光端31的外径自该底壁312向该远光端32逐渐增大。该底壁312朝向该发光二极管芯片20，该底壁312上设有一凹槽3120，该凹槽3120由浅到深包括一第一槽部3121及一第二槽部3122，其中该第一槽部3121呈矩形，该第二槽部3122呈圆饼状，该第二槽部3122的内壁与该第一槽部3121的内部呈相切关系，该第一槽部3121、第二槽部3122与该近光端31共轴。该凹槽3120的底部，即该第二槽部3122的底部为一入光面313，该入光面313包括位于中部的第一入光部3131及围绕于该第一入光部3131外围的一第二入光部3132。该第一入光部3131为一圆形平面，该第二入光部3132为一环形的斜面。该第二入光部3132自该第一入光部3131的边缘向该远光端32所在的一侧倾斜延伸，从而使该第二槽部3122的深度自中部向边缘逐渐增大。该入光面313、第一槽部3121的内壁及第二槽部3122的内壁均为透射率大于反射率，以便于发光二极管芯片20产生的光线自所述入光面313、第一槽部3121的内壁及第二槽部3122的内壁进入透镜30中。该底壁312上于该凹槽3120的相对两侧各设有一凸起部3123，每一凸起部3123呈拱形，每一凸起部3123的拱面与该近光端31的第一出光面311平滑连接。该两凸起部3123之间形成一缺槽314，用于收容该基座10。每一凸起部3123的中部设有沿该透镜30的轴向延伸的一凸柱3124。该凸柱3124呈圆柱状，作为该透镜30的定位结构，用于固定该透镜30。该远光端32大至呈圆台形，该远光端32的外径自该远光端32与该近光端31连接一端向另一端逐渐增大，该远光端32的圆周面为该透镜30的第二出光面321。该远光端32的最小外径大于该近光端31的最大外径，从而于该第一出光面311与第二出光面321之间形成一环形台阶315。该第二出光面321与第一出光面311相邻。该第一出光面311与第二出光面321为透射率大于反射率，该第一出光面311与第二出光面321位于该透镜30的侧向且环绕该入光面313，以共同构成该透镜30的出光面。该远光端32的顶部向该入光面313凹陷，从而于该远光端32的顶部形成一漏斗状的反射面323。该反射面323的中心处形成一最低点3230，该最低点3230正对该入光面313的中心。该反射面323的最高点3231形成一个圆环。该反射面323具有一V形的截面，该V形截面包括两条汇聚于该最低点3230的弧线，每一弧线的最小曲率为0.0642，最大曲率为0.1920，每一弧线相对于入光面313的中心的斜率自该最低点3230向该最高点3231逐渐变小，且该反射面的边缘斜率为0，从而在该反射面323的边缘形成一环形的水平端缘3232。该水平端缘3232与该第二出光面321之间形成一环形的过渡曲面3233，该水平端缘3232与该第二出光面321通过该过渡曲面3233平滑连接。该反射面323及过渡曲面3233的反射率大于透射率。请参阅图4，该发光二极管100工作时，该发光二极管芯片20发出的光线一部分直接通过该透镜30的第一出光面311及第二出光面321从该透镜30的侧向射出，由于该第一出光面311及第二出光面321的透射率大于反射率，从而可以保障该透镜30的侧向出光强度；另一部分光线射至该反射面323及该反射面323边缘的过渡曲面3233。射至该反射面323及过渡曲面3233的光线，一部分被反射至与发光二极管芯片20出光方向相反的一侧而通过该第一出光面311及第二出光面321射出，从而增大该透镜30侧向出射光线的角度，使出光角度大于180°；另一部分从该反射面3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括发光二极管芯片及透镜，其特征在于：该发光二极管芯片正对该透镜的入光面,所述透镜用于对发光二极管芯片发出的光线进行调节，该透镜包括入光面及出光面，该出光面位于该透镜的侧向且环绕该入光面，该透镜还包括一反射面，该反射面的中部向该入光面凹陷，该反射面的边缘与该出光面相连，该反射面同时倾斜朝向该入光面及出光面，自该入光面射入该透镜的光线一部分射向该反射面，另一部分直接由出光面射出，该反射面的反射率大于折射率，射向该反射面的一部分光线被反射至该出光面射出透镜，射向该反射面的另一部分光线直接从反射面射出透镜外部，该出光面的透射率大于反射率；反射面为漏斗状，该反射面的中心处形成一最低点，该最低点正对该入光面的中心；该反射面具有一V形的截面，该V形截面包括两条汇聚于该最低点的弧线，每一弧线的最小曲率为0.0642，最大曲率为0.1920，每一弧线相对于入光面的中心的斜率自该最低点向外逐渐变小。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括发光二极管芯片及透镜，其特征在于：该发光二极管芯片正对该透镜的入光面,所述透镜用于对发光二极管芯片发出的光线进行调节，该透镜包括入光面及出光面，该出光面位于该透镜的侧向且环绕该入光面，该透镜还包括一反射面，该反射面的中部向该入光面凹陷，该反射面的边缘与该出光面相连，该反射面同时倾斜朝向该入光面及出光面，自该入光面射入该透镜的光线一部分射向该反射面，另一部分直接由出光面射出，该反射面的反射率大于折射率，射向该反射面的一部分光线被反射至该出光面射出透镜，射向该反射面的另一部分光线直接从反射面射出透镜外部，该出光面的透射率大于反射率；反射面为漏斗状，该反射面的中心处形成一最低点，该最低点正对该入光面的中心；该反射面具有一V形的截面，该V形截面包括两条汇聚于该最低点的弧线，每一弧线的最小曲率为0.0642，最大曲率为0.1920，每一弧线相对于入光面的中心的斜率自该最低点向外逐渐变小。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该反射面的边缘斜率为0，从而在该反射面的边缘形成一环形的水平端缘，该水平端缘与该出光面之间形成一环形的过渡曲面，该水平端缘与该出光面通过该过渡曲面平滑连接，过渡曲面的反射率大于透射率。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该透镜包括近光端及远光端，该近光端呈圆柱状，该远光端呈圆台状...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：高云，
类型：发明
国别省市：广东,44