湿化学处理设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种湿化学处理设备，其是通过设置两组管路至所述湿化学处理设备中且通过切换所述两组管路的阀门，使得所述湿化学处理设备中具备有升流流场模式、降流流场模式及静止流场模式，进而节省购置成本。

Wet chemical treatment equipment

The utility model provides a wet chemical processing equipment, which is set by two pipelines to the wet chemical processing equipment and by switching the two set of pipeline valves, so that the wet chemical processing equipment have reduced the flow pattern and flow field model, static flow mode up flow, and then save the purchase cost.

【技术实现步骤摘要】
湿化学处理设备
本技术涉及一种槽式湿制程的领域，特别涉及一种湿化学处理设备。
技术介绍
按，应用于半导体、太阳能电池等的比如硅晶元(siliconwafer)、硅晶基板(siliconsubstrate)、玻璃基板、陶瓷基板等，在制程中因为图形化或蚀刻、清洗等需要，通常需进行槽式湿制程。所述槽式湿制程，比如包含蚀刻或清洗等处理。在所述槽式湿制程中，由于是采用批次式的生产方法将多个晶元或基板(如9至50片)一同置入于一湿化学处理设备的湿制程槽体中进行处理，因此所述湿化学处理设备内部管路的流场设计是影响所述槽式湿制程的关键。以往的湿化学处理设备的流场皆采单一循环方向的设计，其流场主要分为下面三种：(1)流体由内槽向上溢流到外槽，简称，升流(upflow)流场；(2)流体由外槽往内槽向下流，简称，降流(downflow)流场；以及(3)流体静止，简称，静止(static)流场。所述的升流流场、降流流场及静止流场在制程的应用上，分别有其流场的独特性。比如，于湿式蚀刻制程应用上，当应用所述降流流场时，晶元的边缘蚀刻速率会高于晶元的中心；当应用所述升流流场时，晶元的中心蚀刻率速率会高于晶元的边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿化学处理设备，其特征在于：所述湿化学处理设备包括：一第一槽体，具有一第一入水口及一第一排水口；一第二槽体，具有一第二入水口及一第二排水口，所述第二槽体位于所述第一槽体的侧部；一泵浦，具有一进水口端及一出水口端；一第一管路，所述第一管路中具有一第一阀门，所述第一管路的两端分别连接至所述第二排水口与所述进水口端；一第二管路，所述第二管路中具有一第二阀门，所述第二管路的两端分别连接至所述出水口端与所述第一入水口；一第三管路，所述第三管路中具有一第三阀门，所述第三管路的一端连接至所述第一排水口，所述第三管路的另一端连接至所述第一阀门及所述进水口端之间的所述第一管路；以及一第四管路，所述第四管路中...

【技术特征摘要】
1.一种湿化学处理设备，其特征在于：所述湿化学处理设备包括：一第一槽体，具有一第一入水口及一第一排水口；一第二槽体，具有一第二入水口及一第二排水口，所述第二槽体位于所述第一槽体的侧部；一泵浦，具有一进水口端及一出水口端；一第一管路，所述第一管路中具有一第一阀门，所述第一管路的两端分别连接至所述第二排水口与所述进水口端；一第二管路，所述第二管路中具有一第二阀门，所述第二管路的两端分别连接至所述出水口端与所述第一入水口；一第三管路，所述第三管路中具有一第三阀门，所述第三管路的一端连接至所述第一排水口，所述第三管路的另一端连接至所述第一阀门及所述进水口端之间的所述第一管路；以及一第四管路，所述第四管路中具有一第四阀门，所述第四管路的一端连接至所述第二阀门及所述出水口端之间的所述第二管路，所述第四管路的另一端连接至所述第二入水口。2.根据权利要求1所述的湿化学处理设备，其特征在于：当开启所述第一阀...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖必健，黄立佐，许明哲，叶荫晟，
申请(专利权)人：弘塑科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71