The invention relates to a method for preparing indium chloride three, which is divided into one chlorination process and two chlorination process. The method uses two times of chlorination sublimation to prepare three indium chloride, and the product prepared by the method has the advantages of high purity, short process time, few required equipment, high utilization ratio of raw materials and low production cost.
【技术实现步骤摘要】
三氯化铟的制备方法
本专利技术涉及一种铟的氯化物的制备方法，尤其涉及一种三氯化铟的制备方法。
技术介绍
高纯无水三氯化铟是ITO薄膜、Ⅲ-Ⅳ族半导体、有机铟系列化合物（MO源）的主要原料，在有机反应催化剂、有机合成、电子工业方面具有广泛应用。现有报道的高纯无水三氯化铟的合成方法一般分为两步，首先单质铟和盐酸反应合成InCl3•4H2O，然后煅烧、有机溶剂取代等方法脱去结晶水。中国专利CN101254942B公开了一种高纯无水三氯化铟的合成方法，其中使用4~5N铟与盐酸反应制备得到InCl3•4H2O，以有机溶剂正丁醇、正戊烷为脱水剂，采用微波加热逐步升温法，经过常压蒸馏脱水、减压蒸馏脱有机试剂、无水三氯化铟升华纯化三个环节得到4N~5N的高纯无水三氯化铟。中国专利CN100595159C公开了一种无水三氯化铟制备的工艺，采用逐级取代方式，用较不稳定的配合物取代较稳定的化合物，稳定的含结晶水三氯化铟被取代成较不稳定的正丁醇配合物，再被取代成很不稳定的三氯化铟乙醚配合物，经过加热氮气干燥，得到无水三氯化铟。这两种方法均以有机溶剂脱除三氯化铟中的结晶水，水含量小于0.1...
【技术保护点】
一种三氯化铟的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：一次氯化：向第一反应器通入保护气体置换第一反应器内的空气，将原料铟置于第一反应器内加热至第一加热温度使得原料铟熔化，在第一通气时间内以60~600L/h的通气流量向液态铟中通入干燥氯气进行反应，第一通气时间与原料铟质量呈正比，接着停止通入干燥氯气，冷却至室温得到固态的一氯化铟，将一氯化铟脱模待用；二次氯化：将固态的一氯化铟装入一第二反应器内，通入保护气体将第二反应器中的空气置换，接着停止通入保护气体而改通干燥氯气，干燥氯气以60~600L/h的通气流量通入第二反应器中，然后设定温度为300~800℃并开启加热，一氯化铟完全反...
【技术特征摘要】
1.一种三氯化铟的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：一次氯化：向第一反应器通入保护气体置换第一反应器内的空气，将原料铟置于第一反应器内加热至第一加热温度使得原料铟熔化，在第一通气时间内以60~600L/h的通气流量向液态铟中通入干燥氯气进行反应，第一通气时间与原料铟质量呈正比，接着停止通入干燥氯气，冷却至室温得到固态的一氯化铟，将一氯化铟脱模待用；二次氯化：将固态的一氯化铟装入一第二反应器内，通入保护气体将第二反应器中的空气置换，接着停止通入保护气体而改通干燥氯气，干燥氯气以60~600L/h的通气流量通入第二反应器中，然后设定温度为300~800℃并开启加热，一氯化铟完全反应后停止加热并停止通入干燥氯气，收集制备得到的三氯化铟。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王波，朱刘，康冶，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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