一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，所述加工方法包括：步骤1：在电路板上钻孔；步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；步骤3：对金属化孔进行填塞；步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品，实现了通过本方法能够阻碍二次浸润，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。

Processing method of circuit board for grounding pad of numerical control attenuator QFN packaging device

The invention discloses a method for processing circuit board numerical control attenuator QFN package grounding pads, including the processing method: Step 1: drilling on the circuit board; step 2: Step 1 in the hole processing of metal hole copper deposition; step 3: the hole metallization packing; step 4: on the circuit board of the circuit pattern filling after etching treatment; step 5: the circuit board etching process of each layer of coating obtained through the implementation of finished products, this method can prevent the two invasion, improve the technical effect of attenuator project product yield.

【技术实现步骤摘要】
一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法
本专利技术涉及电路板加工领域，具体地，涉及一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法。
技术介绍
在现有技术中，现有的加工方法为：下料→钻孔→孔金属化→电路图蚀刻→各图层各图层涂覆→外形(冲/铣)→测试检查等。而现有技术中的方法存在如下技术问题：成品金属化孔与电路板元器件面、接地面贯通，无任何阻焊措施，导致电路板安装元器件后再次焊接，将引起衰减器项目QFN封装类器件接地焊盘焊锡再次熔化，二次浸润，从而导致较高比例的开路或短路不良，电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率低下。
技术实现思路
本专利技术提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，解决了现有的加工方法存在电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率较低的技术问题，实现了通过本方法能够阻碍二次浸润，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。为实现上述专利技术目的，本申请提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，所述加工方法包括：步骤1：在电路板上钻孔；步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；步骤3：对金属化孔进行填塞；步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品。其中，本申请的原理为：在工艺获得金属化孔后，对金属化孔进行填塞，对金属化孔进行隔断，避免接地焊盘焊锡再次熔化后进行二次浸润，对电路板进行保护，提高了产品良率。进一步的，步骤3与步骤4之间还包括步骤A：对填塞后的电路板进行二次沉铜处理，然后进行表面抛光处理。整板再次沉铜后，填充部位目视不可见，整个QFN接地焊盘可视为无孔焊盘，便于后续焊锡膏印刷钢网开口或预成型焊盘图形的设计；抛光后，于孔两侧形成平整端面，同时保障整板铜箔厚度的一致性、规格等满足设计要求。进一步的，其特征在于，填塞材料填塞在金属化孔中部，使得金属化孔上部与下部隔断。一方面填充材料与覆铜材料特性存在客观差异，较少量的使用可以降低高低温工况下的结构盈利；另一方面填充后需要二次沉铜，在中部填充可确保两侧二次沉铜厚度的均匀程度。进一步的，所述属化孔填塞材料为环氧树脂。进一步的，环氧树脂为低应力，即填充树脂应选择与铜的热膨胀系数较为接近的材料，在高温、低温状态不会导致焊盘平面过于凸出或凹陷。具体应根据电路板基板厚度(孔深、填塞量)和覆铜层设计厚度(二次沉铜层厚度)计算。所述的电路板和填孔树脂材料，该填充材料热膨胀系数的选择，和电路板基材厚度(填充厚度)、孔径相关，在1.0mm厚度基板、0.018mm敷铜、金属化孔，填充厚度0.5mm～0.8mm时，可选树脂材料的热膨胀系数大致范围为40ppm/K～80ppm/K。计算逻辑为：在产品工作、存储、装配全温段，电路板基板、敷铜、填充材料的热障冷缩尺寸差异不超过0.05mm(平面度要求)。进一步的，所述属化孔填塞材料为银浆。进一步的，所述属化孔填塞材料为铜浆。金属化孔填塞工序：使用低应力环氧树脂填塞金属化孔的中段部位，用以阻隔金属化孔内焊锡浸润通道，同时保障金属化孔的电气连接特性不受影响。除低应力环氧树脂外，还可选用银浆、铜浆等填塞材料，以满足低电阻或低热阻要求。进一步的，所述填塞的工艺为“树脂塞孔”。可采用成型模具一次性注入、定制夹具注入保型、预制颗粒粘接填塞等多种方式，以适应不同规格的电路基板材料和设计要求。进一步的，所述电路板为用于QFN封装类器件焊盘的接地部分。本申请提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术使用新的电路板加工方法，在金属化孔内部形成焊锡浸润阻断面，确保装配过程不再会二次浸润，杜绝因此导致的QFN器件装配不良，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定；图1是现有技术中电路板的加工流程示意图；图2是本申请中金属化孔填塞示意图；图3是本申请中数控衰减器的电路板的加工方法示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，解决了现有的加工方法存在电装过程工艺控制困难，衰减器项目产品良率较低的技术问题，实现了通过本方法能够阻碍二次浸润，提高了衰减器项目产品良率的技术效果。为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在相互不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述范围内的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。请参考图1-图3，本申请提供了一种数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，所述加工方法包括：步骤1：在电路板上钻孔；步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；步骤3：对金属化孔进行填塞；步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层加工处理获得成品。其中，钻孔现都采用精密的数控多头钻床，依靠事先编好的程式工作，可以进行精确的定位，孔金属化即PTH(platingthroughhole)，是对整个拼版进行化学沉铜，从而让原本无铜的钻孔孔壁上也沉积上一层薄的铜。蚀刻的目的就是去掉多余的铜，以得到所需要的电路图形。通常电路板设计文件中包含了顶层电路图形、底层电路图形、阻焊图形、字符丝印图形等多个图层，完成电路图形加工后，可按常规工艺完成其他图形层的加工。在衰减器项目电路板加工方法中，于“金属化孔沉铜”工序之后，增加“金属化孔填塞”、“沉铜并抛光”工序。金属化孔填塞工序：使用低应力环氧树脂填塞金属化孔的中段部位，用以阻隔金属化孔内焊锡浸润通道，同时保障金属化孔的电气连接特性不受影响。除低应力环氧树脂外，还可选用银浆、铜浆等填塞材料，以满足低电阻或低热阻要求。沉铜并抛光工序：整板再次沉铜及抛光，于孔两侧形成平整端面，同时保障整板铜箔厚度的一致性、规格等满足设计要求。后续工序与
技术介绍
相同不变。在通过可信样本数的验证、统计、分析后，本专利技术技术效果如下：电路板来料，其QFN器件焊盘部位相对于
技术介绍
产品而言，金属化孔不可见，可视为整体焊盘，在设计焊料印刷钢网时不再考量孔分布，能够简化钢网设计；PCBA成品经功能测试，未发现QFN器件有外观、结构、功能方面指标异常，满足设计要求；电路板与盒体进行二次焊接，按既有产品工艺方案执行，不做任何变更。工序成品经检测，未发现外观、结构、功能方面指标异常；按衰减器项目技术协议进行各项可靠性试验(高低温冲击、高低温环境工作、随机振动等)后，指标仍满足设计需求。通过本专利技术的验证实施，能有效提高衰减器项目产品在产业化生产过程中的效率、良率，同时保障产品综合技术要求的一致性。尽管已描述了本专利技术的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本专利技术范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数控衰减器的电路板QFN封装器件接地焊盘的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1：在电路板上钻孔；步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；步骤3：对金属化孔进行填塞；步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品。

【技术特征摘要】
1.一种数控衰减器的电路板QFN封装器件接地焊盘的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1：在电路板上钻孔；步骤2：对步骤1中加工出的孔进行沉铜处理获得金属化孔；步骤3：对金属化孔进行填塞；步骤4：对填塞后的电路板进行电路图型刻蚀处理；步骤5：对刻蚀处理后的电路板进行各图层涂覆处理获得成品。2.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，其特征在于，步骤3与步骤4之间还包括步骤A：对填塞后的电路板进行二次沉铜处理，然后进行表面抛光处理。3.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路板的加工方法，其特征在于，填塞材料填塞在金属化孔中部，使得金属化孔上部与下部隔断。4.根据权利要求1所述的数控衰减器QFN封装器件接地焊盘的电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢国良，包明，
申请(专利权)人：四川九立微波有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51