用于CMOS放大器的静电放电保护制造技术

公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中，该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中，辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。

ESD protection for CMOS amplifiers

An CMOS amplifier (300) including an electrostatic discharge (ESD) protection circuit is disclosed. In one embodiment, the CMOS amplifier can include a PMOS transistor (P1), NMOS (N1), the main transistor protection diodes (301), and one or more auxiliary protection diodes (304) to limit the voltage between the terminals of the differential amplifier CMOS. In some embodiments, the auxiliary protection diode can limit CMOS amplifier input terminal and a power supply voltage between the input terminals, CMOS amplifier and CMOS amplifier, and the ground between the input terminal and the output terminal of the voltage difference between.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于CMOS放大器的静电放电保护
示例性实施例一般地涉及放大器，并且具体地涉及向互补金属氧化物硅(CMOS)放大器提供静电放电保护。
技术介绍
无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据用于双向通信。无线设备可以包括用于数据发射的发射器和用于数据接收的接收器。对于数据发射，发射器可以利用数据来调制射频(RF)载波信号以生成经调制的RF信号，放大经调制的RF信号以生成具有恰当输出功率电平的发射RF信号，并且经由天线将发射RF信号发射到另一设备，诸如，例如基站。对于数据接收，接收器可以经由天线获得所接收的RF信号，并且可以放大和处理所接收的RF信号以恢复由另一设备发送的数据。无线设备可以包括一个或多个放大器来处理模拟信号。例如，一些放大器可以提供用于相对低幅度的信号的处理增益(例如，电压和/或电流增益)、用于相对敏感的信号的隔离、用于将信号驱动到传输线中的增加的电流、以及用于通过通信介质发射信号的信号放大。一些放大器可能被暴露于允许相对高的电压不合意地耦合到放大器的一个或多个端子的环境。例如，静电放电(ESD)事件可能将相对高的电压暴露于放大器。如果未被保护，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：PMOS晶体管，被配置为放大输入信号并且生成放大器的输出信号；退化电感器，被配置为减小所述放大器的增益；以及第一保护二极管，被配置为限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.26 US 14/632,6461.一种装置，包括：PMOS晶体管，被配置为放大输入信号并且生成放大器的输出信号；退化电感器，被配置为减小所述放大器的增益；以及第一保护二极管，被配置为限制所述放大器的输入端子与供电电压之间的电压差。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管进一步被配置为限制所述PMOS晶体管的栅极端子与源极端子之间的电压差。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管耦合在所述PMOS晶体管的源极端子与所述PMOS晶体管的栅极端子之间。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一保护二极管进一步被配置为保护所述PMOS晶体管的栅/源结。5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：电阻器，与所述第一保护二极管串联耦合。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述退化电感器耦合在所述PMOS晶体管的源极端子与所述供电电压之间。7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：第二保护二极管，被配置为限制所述放大器的所述输入端子与所述放大器的输出端子之间的电压差。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二保护二极管进一步被配置为限制所述PMOS晶体管的栅极端子与所述PMOS晶体管的漏极端子之间的电压差。9.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二保护二极管耦合在所述PMOS晶体管的栅极端子与所述PMOS晶体管的漏极端子之间。10.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：一个或多个主保护二极管，被配置为在地面与所述供电电压之间的电压差超过第一阈值电压时限制地面与所述供电电压之间的所述电压差；以及钳位电路，被配置为在所述供电电压与地面之间的电压差超过第二阈值电压时限制所述供电电压与地面之间的所述电压差。11.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：N...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·A·M·尤塞夫，P·S·S·古德姆，E·R·沃利，潘东玲，LC·常，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US