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公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中，该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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