元件制造方法技术

技术编号:16389639 阅读:66 留言:0更新日期:2017-10-16 11:27
提供一种元件制造方法。本发明专利技术的元件制造方法包括:第1工序,得到被加工物(100)的面方向上的厚度分布;第2工序,根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分,计算出加工量分布;第3工序,根据所述加工量分布,对所述被加工物进行局部加工;第4工序,在所述第3工序之后,将所述被加工物的面内区分成多个元件部,在各元件部形成电极;以及第5工序,按多个所述元件部的每一个进行分割,形成多个元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】元件制造方法
本专利技术涉及制造元件的元件制造方法。
技术介绍
从基板形成元件时,有时会因基板的厚度分布而使得各元件的特性产生偏差。作为这样的元件的一例,例如可例示晶体振子。晶体振子具备与包括晶体的基板的厚度相应的频率特性。该基板的厚度在面方向上具有分布(面内分布)。基板的厚度的面内分布(偏差)直接关系到频率特性的偏差。因此,通过在基板上形成的电极的形状、厚度等来对发生了偏差的特性进行调整,或者将基板单片化后按厚度挑选,然后形成元件,以便不会产生特性的偏差(例如,参照JP特开2006-93865号公报、JP特开2004-191079号公报)。
技术实现思路
用于解决课题的手段本专利技术的一实施方式涉及的元件制造方法包括:第1工序、第2工序、第3工序、第4工序和第5工序。第1工序是膜厚分布取得工序,获得具有基准面的被加工物的面方向上的厚度分布。第2工序是加工量分布取得工序,根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分,计算出加工量分布。第3工序是局部加工工序,根据所述加工量分布,对所述被加工物进行局部加工。第4工序是电极形成工序,在第3工序之后,将所述被加工物的面内区分成多个元件部,在各元件部形本文档来自技高网...
元件制造方法

【技术保护点】
一种元件制造方法,包括:第1工序,得到具有基准面的被加工物的面方向上的厚度分布;第2工序,根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分,计算出加工量分布;第3工序,根据所述加工量分布对所述被加工物进行局部加工;第4工序,在所述第3工序之后,将所述被加工物的面内区分成多个元件部,在各元件部形成电极;以及第5工序,按多个所述元件部的每一个进行分割,形成多个元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0688131.一种元件制造方法,包括:第1工序,得到具有基准面的被加工物的面方向上的厚度分布;第2工序,根据所述厚度分布与期望的膜厚分布的差分,计算出加工量分布;第3工序,根据所述加工量分布对所述被加工物进行局部加工;第4工序,在所述第3工序之后,将所述被加工物的面内区分成多个元件部,在各元件部形成电极;以及第5工序,按多个所述元件部的每一个进行分割,形成多个元件。2.根据权利要求1所述的元件制造方法,其中,在所述第3工序中,所述加工是局部地产生等离子并在与所述加工量分布相应的滞留时间内改变所述被加工物与所述等离子的产生部的相对位置的同时进行的。3.根据权利要求1或2所述的元件制造方法,还包括:第1蚀刻工序,在所述第1工序之前,将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中。4.根据权利要求1~3中任一项所述的元件制造方法,还包括:第2蚀刻工序,接着所述第3工序,将所述被加工物浸渍到具有各向同性的蚀刻液中。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡边启一郎
申请(专利权)人:京瓷株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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