积层陶瓷电容器的中间体的制造方法技术

本发明专利技术提供一种可显著提高生产率、同时内部电极与外部电极的密接性极为良好、可靠性高、而且成品率极为良好，进而电气特性等的质量高且稳定的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法和积层陶瓷电容器；在制造积层陶瓷电容器的中间体(1)时，将陶瓷层(2)与内部电极(3)交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体(4)后，进行该中间体(4)的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体(40)的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层(2)的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层(2)中的内部电极(3)的端面或端部从该陶瓷层的端面(2)朝向外部露出；此时，使用包含卤系化合物的处理水溶液；另外，在所获得的积层陶瓷电容器的中间体(1)的两端部或侧面的多个部位处，以与内部电极电连接的方式设置外部电极(5)，从而获得积层陶瓷电容器(10)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法、积层陶瓷电容器
本专利技术涉及积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法和积层陶瓷电容器。
技术介绍
现有技术下，积层陶瓷电容器是将陶瓷层与内部电极交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而得到生坯片(greenchip)、即积层陶瓷电容器用素坯之后，进行该积层陶瓷电容器用素坯的烧结，接着，在该烧结后的积层陶瓷电容器用素坯的两端面形成外部电极，由此而制造(例如，参照专利文献1及专利文献2)。以下，在本专利技术中，将积层陶瓷电容器用素坯及将该素坯烧结所成的积层陶瓷电容器用素坯，分别称为积层陶瓷电容器的中间体、及烧结后的积层陶瓷电容器的中间体。此种积层陶瓷电容器的制造是经由以下的工序而进行。首先，如图118(a)所示，将陶瓷层2与内部电极3交替地层叠多层，并将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体4。在该烧结前的积层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，将陶瓷层与内部电极交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体后，进行该中间体的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层中的内部电极的端面或端部从该陶瓷层的端面朝向外部露出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.16 JP 2015-0072361.一种积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，将陶瓷层与内部电极交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体后，进行该中间体的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层中的内部电极的端面或端部从该陶瓷层的端面朝向外部露出。2.如权利要求1所述的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，内部电极是通过以下方式形成，该以下方式为：利用含有金属粉末的导电糊进行的印刷、烘烤，利用使含有金属粉末的导电性墨料成为雾状而从喷嘴喷射的喷墨方式进行的印刷、烘烤，含有金属粉末的导电糊的喷涂、烘烤，或者利用金属的蒸镀、电镀或溅镀。3.如权利要求1或2所述的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，通过将积层陶瓷电容器的中间体的至少端部浸渍在包含卤系化合物的处理水溶液中、或者对所述中间体的至少端部涂敷或撒放或喷雾所述处理水溶液，由此使所述中间体的至少端部接触所述处理水溶液。4.如权利要求1～3中任一项所述的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，通过调整积层陶瓷电容器的中间体的至少端部与包含卤系化合物的处理水溶液的接触时间、或所述处理水溶液的温度、或所述处理水溶液中的卤系化合物的浓度之中的任一者以上，由此，将烧结时内部电极的端部表面上所产生的氧化膜去除，使该端部表面活化，同时，将覆盖在内部电极的端部上的陶瓷层的端部去除。5.如权利要求1～4中任一项所述的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，通过调整积层陶瓷电容器的中间体的至少端部与包含卤系化合物的处理水溶液的接触时间、或所述处理水溶液的温度、或所述处理水溶液中的卤系化合物的浓度之中的任一者以上，由此使内部电极的端面或端部在与陶瓷层的端面呈同一平面至距离陶瓷层的端面2.5μm的范围内朝向外部露出或突出。6.如权利要求1～5中任一项所述的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法，其特征在于，通过调整积层陶瓷电容器的中间体的至少端部与包含卤系化合物的处理水溶液的接触时间、或所述处理水溶液的温度、或所述处理水溶液中的卤系化合物的浓度之中的任一个以上的条件，由此，在从陶瓷层的端面起3μm的深度范围内，在陶瓷层的端部上形成由空孔或多孔部构成的多孔质部。7.一种包含卤系化合物的处理水溶液，其为权利要求1～6...

【专利技术属性】
技术研发人员：森家英幸，森家圭一郎，森家洋晃，
申请(专利权)人：株式会社北陆滤化，
类型：发明
国别省市：日本,JP