The invention discloses a method for preparing high pure aluminum and ultra pure Aluminum Alloy sputtering target, which comprises the following steps: material at 200 to 500 DEG C, 24 ~ 48 hour cold preservation at room temperature; the ingot mold is forged into an oval, along the X direction, the deformation amount reaches 20% ~ 40% the ingot mold; into the round, forge along the Y direction, the deformation amount reaches 20% ~ 40%; remove the ingot from the mould, forge along the Z direction, the deformation will reach 70%; after forging ingot annealed at 200 ~ 400 Deg. C; will be 8 ~ 20 forging into a plate channel rolling at room temperature and below each bar under the amount of 25%, X and Y direction alternately rolling; annealing at 200 ~ 400 DEG C, which can eliminate internal stress, and the material refined to 200 m. The ultra high purity aluminum target made by this method has fine grain, uniform texture, stable texture, high yield, easy operation and large scale industrial production.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属、合金材料加工技术,具体涉及一种超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材料制备方法。技术背景磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式,相比较蒸发镀膜方式,其很多方面的优势相当明显,如膜层与工件表面的结合力更大,膜层的硬度更高,耐磨性和耐腐蚀性更好,膜层的性能也更稳定。作为一项已经发展的较为成熟的技术,磁控溅射已经被应用于许多领域。无论在半导体集成电路、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。在溅射工艺相同的情况下,溅射靶材的显微组织结构直接影响溅射薄膜的性能及靶材的使用寿命,靶材晶粒越细小、均匀,溅射速率越快,溅射淀积薄膜的厚度均匀性越好。纯度高达5N-6N的超高纯铝铸锭,杂质含量非常低,阻碍晶粒长大的机制很少,对其晶粒度的控制难度较大。其中塑性变形是超高纯铝晶粒细化的较为常见,也是较为有效的方法。为了得到晶粒细小均匀的高纯铝靶材,国内外做了很多研究。如等转角挤压法、多向锻造、拉拔法等等。但是对于制备大尺寸的超高纯铝靶材,且能规模化生产的,都有一定的不足。中国专利申请,专利号:CN19281 ...
【技术保护点】
一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法,其特征在于包括以下步骤:(1)均匀化:将超高纯铝铸锭或超高纯铝合金铸锭在200℃~500℃,保温24~48小时后,空冷至室温;(2)模锻:a.将均匀化处理后的铸锭放入椭圆形模具中,沿X方向进行锻压,变形量达到20%~40%;b.将铸锭放入圆形模具中,沿Y方向进行锻压,变形量达到20%~40%;(3)自由锻:将铸锭从模具中取出,沿Z方向进行锻压,变形量达到70%;(4)热处理:将锻压后的铸锭在200~400℃条件下进行退火处理;(5)轧制:将锻压成板材的铝板或纯铝合金板,在室温下进行8~20道次轧制,每道次扎下量不低于25%,X方 ...
【技术特征摘要】
1.一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)均匀化:将超高纯铝铸锭或超高纯铝合金铸锭在200℃~500℃,保温24~48小时后,空冷至室温;
(2)模锻:a.将均匀化处理后的铸锭放入椭圆形模具中,沿X方向进行锻压,变形量达到20%~40%;b.将铸锭放入圆形模具中,沿Y方向进行锻压,变形量达到20%~40%;
(3)自由锻:将铸锭从模具中取出,沿Z方向进行锻压,变形量达到70%;
(4)热处理:将锻压后的铸锭在200~4...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋小利,张向东,张文勇,杨太礼,王毅,付勇,
申请(专利权)人:利达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:河南;41
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