基板处理系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种基板处理系统，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域，其设置于研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗(pre‑cleaning)；清洗部，其对在预备清洗区域得到预备清洗的基板进行清洗，从而有利效果在于，不降低工艺效率，并将在清洗工艺前残留于基板的异物最小化。

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统
本技术涉及一种基板处理系统，更为具体地涉及一种基板处理系统，其在进行基板的清洗工艺之前，使得残留于基板的异物一次分离，从而能够提高清洗效率。
技术介绍
半导体元件由微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶元表面需要进行相应的精密研磨。为了对晶元进行更加精细地研磨，进行机械研磨及化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。化学机械研磨(CMP)工艺是为了促进广域平坦化、由用于电路形成的接触/布线膜分离以及高集成元件化所致的晶元表面粗糙度提高等而对晶元的表面进行精密研磨工艺的工艺，所述广域平坦化对因在半导体元件制造过程中反复执行掩蔽、蚀刻及布线工艺等时所生成的晶元表面的凹凸引起的单元(cell)区域和周边电路区域间高度差进行去除。所述CMP工艺通过以晶元的工艺面与研磨垫相面对的状态对所述晶元进行加压并同时对工艺面进行化学研磨和机械研磨来实现，研磨工艺结束的晶元被载体头抓握，并经过对粘于工艺面的异物进行清洗的清洗工艺。换句话说，如图1所示，通常晶元的化学机械研磨工艺通过如下形式得到实现：如果晶元从装载单元20供给于化学机械研磨系统X1，则将晶元W以紧贴于载体头S1、S2、S1’、S2’；S的状态沿着规定的路径Po移动66-68的同时，在多个研磨平板P1、P2、P1’、P2’上进行化学机械研磨工艺。进行化学机械研磨工艺的晶元W通过载体头S转移至卸载单元的放置架10，并且转移至下一个进行清洗工艺的清洗单元X2，在多个清洗模块70执行对粘于晶元W的异物进行清洗的工艺。但是，通过载体S得到搬运的基板W在各个研磨平板进行的研磨工艺的所需时间和在各个清洗单元C1、C2的清洗工艺的所需时间存在差异，因此在一个工艺结束后无法立即投入至下一个工艺，从而存在导致工艺延迟的问题。另外，随着半导体的微细化及高集成化，对于晶元的清洗效率的重要性逐渐变大。特别是，如果在清洗模块进行晶元的清洗工艺之后，在晶元的表面还残留有异物，则降低收率，降低安全性及可靠性，因此需在清洗模块中最大限度地去除异物。为此，在现有技术中提出了如下方案：将进行研磨工艺的晶元向清洗模块移送之前，首先对晶元进行一次清洗并去除异物后，在清洗模块重新清洗，从而可提高清洗效率但是，在现有技术中，需要与清洗模块区别地额外设置用于进行预备清洗的预备清洗空间，据此存在如下问题：不仅对设备的布局不利，而且晶元的移送及清洗处理工艺变得复杂，清洗时间增加，据此费用增加且收率下降。特别是，研磨工艺结束后卸载于卸载位置的晶元转移至后续另外的预备清洗空间，从而在进行预备清洗后，需要重新移送至清洗模块，因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体的处理工艺效率地问题。据此，最近进行用于能够提高化学机械研磨工艺的清洗效率及收率且减少费用的各种研究，但是尚有不足所以要求对此的开发。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基板处理系统，其能够提高清洗效率，并且能够提高收率。特别是，本技术的目的在于，在进行清洗工艺之前，可在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次去除。与此同时，本技术的目的在于，在进行本清洗工艺之前，进行完成研磨工艺的基板的预备清洗工艺，据此，消除了完成研磨工艺的基板无法连续投入于清洗工艺的局限，从而使得工艺效率提高。此外，本技术的目的在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，或者降低工艺效率，也可以在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。并且，本技术的目的在于提供一种基板处理系统，其使得工艺效率提高，并连续不断地进行各个处理工艺。并且，本技术的目的在于，不需要另外的机械臂或者夹子等，而是直接使得通过载体头得到搬运的同时进行研磨工艺的基板放置，从而缩短卸载基板所需的时间，并减少投入于研磨工艺的基板的移送的时间。此外，本技术的目的在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，或者降低工艺效率，也可以在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。根据用于实现如上所述的本技术的目的的本技术的优选实施例，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域，其设置于研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗(pre-cleaning)；清洗部，其对在预备清洗区域得到预备清洗的基板进行清洗。其目的在于，当进行对基板的清洗时，在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗后，在清洗部进行基板的本清洗工艺，据此有效地去除残留于基板的异物，并且使得基板的清洗效率提高。特别是，不对现有设备的布局(layout)进行变更或增加，而设置于研磨部且在基板被卸载的预备清洗区域对基板进行预备清洗，据此可得到的有利效果在于，不会使得工艺效率下降，并且在清洗工艺前对残留于基板的异物进行最小化。换句话说，在将进行研磨工艺的基板移送至清洗部并进行本清洗工艺之前，也可以将基板移送至另外的清洗区域并进行预备清洗之后，重新移送至清洗部，但是在此情况下，将卸载于卸载区域的基板移送至另外的清洗区域后需要重新移送至清洗部，因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体的处理工艺效率的问题，为了额外地设置另外的清洗区域，需要对现有设备的布局进行变更或增加，因此降低空间利用性，增加设备变更所需的费用。但是，本技术中，将进行研磨工艺的基板卸载于预备清洗区域后移送至清洗部的工艺顺序保持不变，并且在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗，据此可得到的有利效果在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，在没有降低工艺效率的情况下，在进行本清洗工艺之前，也对残留于基板的异物进行最小化。尤其，可得到的有利效果在于，在清洗工艺之前，可以通过在预备清洗区域进行的预备工艺尽可能多地对残留于基板的异物进行去除，因此可提高通过本清洗工艺的清洗效果，并且使得清洗效率提高。并且，可得到的有利效果在于，在预备清洗区域的预备清洗可以利用清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部、清洗刷、兆声波发生器中任意一个来进行，所述清洗液喷射部将清洗液喷射于基板的表面，所述蒸汽喷射部将蒸汽喷射于基板的表面，所述异种流体喷射部将异种流体喷射于基板的表面，所述清洗刷以旋转地形式接触于基板的表面，所述兆声波发生器将振动能供给于基板的表面，并且根据基板的特性或者蒸镀特性对预备清洗种类进行选择，以最佳的条件进行预备清洗。并且，在预备清洗区域上清洗液喷射部、异种蒸汽喷射部及异种流体喷射部中至少任意一个可以以能够振荡的形式设置。如上所述的结构能够使得清洗液、蒸汽、异种流体以振荡的形式喷射于基板的表面，从而将通过清洗液、蒸汽、异种流体的清洗效率最大化，可以更加降低清洗液、蒸汽、异种流体的使用量。此外，如上所述的方式可得到的有利效果在于，通过由清洗液、蒸汽、异种流体所致的清洗力(包括撞击力)使得异物从基板表面的表面得到分离，同时将得到分离的异物清除后向基板的外部排出。可包括隔断单元，其在预备清洗区域进行预备清洗期间，将预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间进行隔断。隔断单元式将预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间进行隔断，从而可得到的效果在于，从根本上对使用于预备清洗的化学药品(chemical)及清洗液等流入于进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统，其特征在于，包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨工艺；预备清洗区域，其设置于所述研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗；清洗部，其对在所述预备清洗区域进行所述预备清洗的基板进行清洗。

【技术特征摘要】
2016.05.03 KR 10-2016-0054652;2016.06.21 KR 10-2011.一种基板处理系统，其特征在于，包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨工艺；预备清洗区域，其设置于所述研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗；清洗部，其对在所述预备清洗区域进行所述预备清洗的基板进行清洗。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，进行研磨工艺的所述基板卸载于所述预备清洗区域，并且对卸载的所述基板进行所述预备清洗。3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：清洗流体喷射部，其设置于所述预备清洗区域，并且向所述基板的表面喷射清洗流体。4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述清洗流体喷射部包括蒸汽喷射部，所述蒸汽喷射部向所述基板的表面喷射蒸汽。5.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述清洗流体喷射部包括异种流体喷射部，所述异种流体喷射部向所述基板的表面喷射相互不同的异种流体，所述异种流体喷射部包括干冰供给部和流体喷射部，所述干冰供给部供给干冰粒子，所述流体喷射部向所述基板的表面垂直地喷射流体，所述干冰粒子及所述流体以相互混合的状态向所述基板的表面喷射。6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：兆声波发生器，其设置于所述预备清洗区域，并且向所述基板的表面供给振动能量。7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：清洗刷，其设置于所述预备清洗区域，并且以旋转的形式接触于基板的表面。8.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：基板放置部，其设置于所述预备清洗区域，所述基板放置于所述基板放置部，所述基板在卸载于所述基板放置部的状态下进行所述预备清洗。9.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述研磨部包括：第一研磨区域，其配置有多个第一研磨平板；第二研磨区域，其与所述第一研磨区域相面对并配置有多个第二研磨平板；基板移送路线，其配置于所述第一研磨区域和所述第二研磨区域之间，并对装载在设置于所述研磨部的装载区域的所述基板进行移送，装载于所述装载区域的所述基板沿着所述基板移送路线得到移送，从而在所述第一研磨区域或者所述第二研磨区域被研磨后，卸载于所述预备清洗区域。10.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：翻转单元，其设置为从设置于所述研磨部的所述基板被装载的装载区域可移动至所述预备清洗区域，并且在所述装载区域接收基板并移送至所述预备清洗区域，所述基板以支撑于所述翻转单元的状态在所述预备清洗区域进行所述预备清洗。11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其特征在于，所述翻转单元包括：可动组件，其从所述装载区域向所述预备清洗区域移动；旋转组件，其可翻转旋转地连接于所述可动组件；所述旋转组件在进行所述预备清洗的期间使得所述基板垂直地配置。12.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：翻转单元，其设置于所述预备清洗区域，并在所述预备清洗区域接收所述基板并使得基板翻转。13.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：隔断单元，其在所述预备清洗区域进行所述预备清洗的期间，将所述预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间隔断。14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，所述隔断单元包括：外壳，其以包裹所述基板的周边的形式设置，并且提供独立的所述预备清洗处理空间；开闭部件，其对所述外壳的进出口进行开闭。15.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：第一缓冲模块，其设置于所述研磨部，以便当在所述预备清洗区域进行基板的所述预备清洗工艺时，在所述研磨部收容完成所述研磨工艺的所述基板。16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一缓冲模块设置有多个用于堆积的放置架，从而收容多个基板。17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，所述放置架以上下方向的成分循环。18.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，所述研磨部构成为，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：权宁奎，孙昞澈，赵珳技，安俊镐，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR