一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法。其包括衬底、生长在衬底上的缓冲层、生长在缓冲层上的BeMgZnO合金外延层和蒸镀沉积在外延层上的肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层为Mg、MgO、ZnO、BeO、BeZnO或MgZnO中的一种或多种组合材料组成；金属接触电极层包括内侧的钛、镍、铂、金、银或钼单层金属或金属复合层和外侧蒸镀的金层。本发明专利技术的器件避免了p型掺杂的困难，具有暗电流低、响应速度快、响应度高、制备工艺简单、可在零偏压下工作等优点，实现了器件的响应截止波长在近紫外到深紫外连续可调；还可与半导体平面工艺相容，有利于大规模集成，具有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法
本专利技术属于紫外探测
更具体地，涉及一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
紫外探测是继红外探测和激光探测之后发展起来的另外一种重要的探测技术，广泛应用于军事和日常生活中。对于军事上来说，由于喷气机、火箭和导弹在发射和飞行的过程中辐射出大量的紫外线，因此发展紫外探测技术将有助于提高我们的空间防务，保障我们的国土安全。在民用方面，紫外探测也有广泛的应用，比如矿井可燃气体和汽车尾气的监测、环境污染的监测、DNA测试和海底漏油监测等等。目前，商用的紫外探测器主要有光电倍增管、Si紫外探测器和GaN宽禁带半导体探测器，他们有一定的优势，但也有一些明显的不足。光电倍增管需要在高压下工作，因此需配带有高压源而显得体积笨重，而且易损坏。Si紫外探测器有三个明显的缺点：（1）对可见光有很强的吸收，因此需要附带一个复杂的滤光系统，提高了造价；（2）对紫外线的吸收很强，造成紫外光的穿透深度很浅，降低了量子效率；（3）空间抗辐照性差，限制了其在太空的应用。宽禁带半导体GaN作为第三代半导体材料，具有宽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、外延层和肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层生长在衬底上，外延层生长在缓冲层上，肖特基接触的金属接触电极层蒸镀沉积在外延层上；所述缓冲层为不同厚度的Mg、MgO、ZnO、BeO、BeZnO或MgZnO中的一种或多种组合材料组成；所述外延层为BeMgZnO合金；所述金属接触电极层包括内侧的钛、镍、铂、金、银或钼单层金属或金属复合层和外侧蒸镀的金层。

【技术特征摘要】
1.一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、外延层和肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层生长在衬底上，外延层生长在缓冲层上，肖特基接触的金属接触电极层蒸镀沉积在外延层上；所述缓冲层为不同厚度的Mg、MgO、ZnO、BeO、BeZnO或MgZnO中的一种或多种组合材料组成；所述外延层为BeMgZnO合金；所述金属接触电极层包括内侧的钛、镍、铂、金、银或钼单层金属或金属复合层和外侧蒸镀的金层。2.根据权利要求1所述的背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，BeMgZnO合金外延层的厚度为50～5μm，载流子浓度低于1017/cm3。3.根据权利要求1所述的背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5～500nm。4.根据权利要求1所述的背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，单层金属或金属复合层的厚度为30～500nm，金层的厚度为10～500nm。5.根据权利要求1所述的背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、单晶硅、单晶氮化镓、单晶砷化镓或单晶氧化镁。6.根据权利要求1所述的背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器，其特征在于，由如下方法制备得到：S1.在生长前先对衬底进行清洗：S2.在清洗后的衬底上生长一层缓冲层；S3.在缓冲层上生长一层BeMgZnO合金；S4.步骤S3制备得到的产物先进行表面清洗，然后用光学掩膜的方法在表面做叉指图案，再利用显影剂把需要蒸镀电极的部分裸露出来；S5.在做完叉指图案的样品上镀上...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉超，苏龙兴，蒙蒙，刘剑锋，赵宇，郑锦坚，马忠权，汤子康，
申请(专利权)人：中国人民解放军六三七九一部队，
类型：发明
国别省市：四川,51