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本发明公开了一种背对背肖特基结构的BeMgZnO基紫外探测器及其制备方法。其包括衬底、生长在衬底上的缓冲层、生长在缓冲层上的BeMgZnO合金外延层和蒸镀沉积在外延层上的肖特基接触的金属接触电极层；所述缓冲层为Mg、MgO、ZnO、BeO、...
该专利属于中国人民解放军63791部队所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军63791部队授权不得商用。

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