【技术实现步骤摘要】
一种微米线阵列、其制备方法、其制备的雪崩紫外探测器和雪崩紫外探测器系统
本专利技术涉及半导体光电器件
，更具体地，涉及一种微米线阵列、其制备方法、其制备的雪崩紫外探测器和雪崩紫外探测器系统。
技术介绍
紫外光电探测器是紫外探测技术的核心技术之一，其性能指标的好坏直接影响到读出电路及其后续放大电路的设计，进而影响到整个探测系统的精密度。因此，研制高性能的紫外探测器是广大科技工作者永恒不变的追求和努力的方向。目前成熟商用的紫外探测器主要有硅基紫外光电二极管和光电倍增管两种。但硅基紫外光电二极管需工作在低温环境下，量子效率较低，空间抗辐照性能较差，而且在可见光区有很强的吸收，另外需要附带昂贵的滤波组件，增加了探测系统的成本和体积。光电倍增管不仅量子效率低、而且在工作的过程中需要外加高压电源，显得体积笨重、容易损坏。因此低成本、高效率和小巧轻便的需求促使人们把目光转向了第三代宽禁带半导体。在众多宽禁带半导体材料中，GaN和SiC基紫外光电探测器的相关技术发展比较成熟，目前已经小规模商品化，尤其是GaN基光电探测...
【技术保护点】
1.一种微米线阵列，其特征在于，包括阵列排布的若干核壳结构微米线，所述核壳结构微米线包括线型核层半导体和壳层半导体，所述线型核层半导体与壳层半导体构成异质结。/n
【技术特征摘要】
1.一种微米线阵列，其特征在于，包括阵列排布的若干核壳结构微米线，所述核壳结构微米线包括线型核层半导体和壳层半导体，所述线型核层半导体与壳层半导体构成异质结。
2.权利要求1所述微米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.制备AAO模板；
S2.通有惰性气体的管式炉沿惰性气体流动方向依次分为第二温区和第一温区，将壳层材料置于第二温区，将所述AAO模板和核层材料置于第一温区；
S3.第一温区升温后保温一定时间；
S4.第一温区停止加热，第二温区开始升温并保温一定时间，然后第二温区停止加热，得到所述微米线阵列。
3.一种雪...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟文安，刘剑锋，苏龙兴，赵宇，王玉超，
申请(专利权)人：中国人民解放军六三七九一部队，
类型：发明
国别省市：四川;51
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