一种雪崩光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种雪崩光电探测器及其制备方法。其中，所述雪崩光电探测器包括：衬底，以及位于衬底上的器件结构层；器件结构层至少包括沿垂直衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，电荷层为具有第一掺杂类型的第一半导体材料层；过渡层外延生长于电荷层上，过渡层为本征层；吸收层外延生长于过渡层的第一区域上，吸收层为本征的第二半导体材料层；第一电极接触层外延生长于过渡层的第二区域上，第一电极接触层的高度高于吸收层的高度以使第一电极接触层包覆吸收层，第一电极接触层为第一半导体材料层；过渡层的材料为第一半导体材料和第二半导体材料的复合材料。

【技术实现步骤摘要】
一种雪崩光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光子集成芯片探测
，具体涉及一种雪崩光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是光通信、光互连和光电集成技术中关键的光电器件之一，目前在军事和国民经济的各个领域都有广泛的用途，而雪崩光电探测器又以高响应度和灵敏度受到市场欢迎。然而，目前的雪崩光电探测器具有暗电流高、响应度低等缺点，因此有待进一步的改进。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例一方面提供了一种雪崩光电探测器，包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，所述电荷层为具有第一掺杂类型的第一半导体材料层；所述过渡层外延生长于所述电荷层上，所述过渡层为本征层；所述吸收层外延生长于所述过渡层的第一区域上，所述吸收层为本征的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，/n所述电荷层为具有第一掺杂类型的第一半导体材料层；/n所述过渡层外延生长于所述电荷层上，所述过渡层为本征层；/n所述吸收层外延生长于所述过渡层的第一区域上，所述吸收层为本征的第二半导体材料层；/n所述第一电极接触层外延生长于所述过渡层的第二区域上，所述第一电极接触层的高度高于所述吸收层的高度以使所述第一电极接触层包覆所述吸收层，所述第一电极接触层为第一半导体材料层；/n所述过渡层的材料为第一半导体材料和第二半...

【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，
所述电荷层为具有第一掺杂类型的第一半导体材料层；
所述过渡层外延生长于所述电荷层上，所述过渡层为本征层；
所述吸收层外延生长于所述过渡层的第一区域上，所述吸收层为本征的第二半导体材料层；
所述第一电极接触层外延生长于所述过渡层的第二区域上，所述第一电极接触层的高度高于所述吸收层的高度以使所述第一电极接触层包覆所述吸收层，所述第一电极接触层为第一半导体材料层；
所述过渡层的材料为第一半导体材料和第二半导体材料的复合材料。


2.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述第一半导体材料为硅；
所述第二半导体材料为锗；
所述第一半导体材料和第二半导体材料的复合材料为锗硅。


3.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述第一掺杂类型为P型。


4.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括：
位于所述第一电极接触层内的第一电极接触区，所述第一电极接触区为具有第一掺杂类型的第一半导体材料区。


5.根据权利要求1所述的雪崩光电探测器，其特征在于，
所述第二区域环绕所述第一区域；或者，所述第二区域包括被所述第一区域间隔的两个子区域。

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓，肖希，陈代高，王磊，张宇光，李淼峰，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42