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本发明实施例公开了一种雪崩光电探测器及其制备方法。其中，所述雪崩光电探测器包括：衬底，以及位于衬底上的器件结构层；器件结构层至少包括沿垂直衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，电荷层为具有第一掺杂类型的第...
该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司授权不得商用。

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