一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法技术

本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法
本申请涉及光子集成器件
，特别涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法。
技术介绍
目前雪崩光电探测器因其高灵敏度，被广泛引用于接入网、5G承载光模块中。硅基光电子集成技术可以实现多种功能器件高密度、低成本的集成，并通过标准的硅基工艺实现大规模的生产，近年来得到快速发展。当前，锗硅光电探测器已经可以集成在硅基光电子集成芯片中，然而将雪崩光电探测器集成进入硅基光电子集成芯片仍存在较大的挑战。相关技术中，雪崩光电探测器主要采用层叠结构，需要多层材料生长工艺，与目前常见的硅光晶圆代工厂的工艺不兼容，严重制约了锗硅雪崩光电探测器与其他功能元件的集成。
技术实现思路
本申请实施例提供一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，以解决相关技术中工艺不兼容，制约了锗硅雪崩光电探测器与其他功能元件的集成问题。第一方面，提供了一种锗硅雪崩光电探测器，包括：埋氧层；底层，其设于所述埋氧层上，所述底层依次包括由单晶硅多步掺杂而成的本征底层硅区、过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种锗硅雪崩光电探测器，其特征在于，包括：/n埋氧层(4)；/n底层(2)，其设于所述埋氧层(4)上，所述底层(2)依次包括由单晶硅多步掺杂而成的本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11)；/n本征锗层(1)，其设于所述底层(2)上，且所述本征锗层(1)在所述底层(2)上的投影覆盖部分本征底层硅区(5)、以及部分过渡底层硅区(9)；/n覆盖层(3)，其覆盖于所述本征锗层(1)上，所述覆盖层(3)依次包括由多晶硅多步掺杂而成的P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8)，所述P型重掺覆盖层硅区(6)远离本征覆盖层硅区(7)的一端...

【技术特征摘要】
1.一种锗硅雪崩光电探测器，其特征在于，包括：
埋氧层(4)；
底层(2)，其设于所述埋氧层(4)上，所述底层(2)依次包括由单晶硅多步掺杂而成的本征底层硅区(5)、过渡底层硅区(9)、倍增区(10)、N型重掺杂底层硅区(11)；
本征锗层(1)，其设于所述底层(2)上，且所述本征锗层(1)在所述底层(2)上的投影覆盖部分本征底层硅区(5)、以及部分过渡底层硅区(9)；
覆盖层(3)，其覆盖于所述本征锗层(1)上，所述覆盖层(3)依次包括由多晶硅多步掺杂而成的P型重掺覆盖层硅区(6)、本征覆盖层硅区(7)、过渡覆盖层硅区(8)，所述P型重掺覆盖层硅区(6)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与本征底层硅区(5)接触，所述过渡覆盖层硅区(8)远离本征覆盖层硅区(7)的一端与过渡底层硅区(9)接触，以形成电荷过渡区(16)；
P电极(13)，其与所述P型重掺覆盖硅区(6)相连；
N电极(15)，其与所述N型重掺杂底层硅区(11)相连。


2.如权利要求1所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述过渡底层硅区(9)和过渡覆盖层硅区(8)的掺杂浓度相同。


3.如权利要求2所述的锗硅雪崩光电探测器，其特征在于：所述过渡底层硅区(9)的掺杂浓度小于P型重掺覆盖层硅区(6)的掺杂浓度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，肖希，陈代高，胡晓，张宇光，李淼峰，余少华，
申请(专利权)人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，武汉邮电科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42