温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包...该专利属于武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司授权不得商用。