一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器，所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P‑外延层及体淬灭电阻区、P+掩埋隔离区、P++衬底和背面阴极电极。本申请采用半导体材料来制作，各雪崩二极管单元通过外延P‑区的自体寄生体电阻实现雪崩的淬灭，雪崩区单元面积小，单元密度高；该结构通过P+掩埋隔离结构及N+区反向耐压工作时的自耗尽区，使各雪崩二极管单元的体电阻区实现自隔离，避免由于临近单元激发或工作电压漂移导致的耗尽区宽度变化引起的体电阻阻值涨落而导致的增益的漂移，增强探测器的抗噪声特性。

【技术实现步骤摘要】
一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器
本技术属于H01L27/00类半导体器件领域，具体涉及一种具有掩埋隔离结构的体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器。
技术介绍
弱光探测器技术在高能物理、天体物理及核医学成像等领域具有非常重要的应用。目前应用最广泛的弱光探测器主要是光电倍增管(PMT)。但PMT存在体积大、工作电压和功耗高、容易损坏、受光阴极限制探测效率较低、对磁场敏感以及不适合制作大规模阵列等缺点，限制了它在许多场合的应用。随着半导体光探测器的发展，一种被称为硅光电倍增探测器(Siliconphoto-multiplier，SiPM)或单光子雪崩二极管阵列探测器（SPADs，SinglePhotonavalancheDiodesarraydetectors）或多单元光子计数器(Multi-PixelPhotonCounters，MPPC)的高灵敏半导体光探测器在弱光探测领域越来越受到重视。这种光探测器一般由几百至几千个尺寸为几至上百微米的雪崩光电二极管(AvalanchePhotoDiode，APD)单元单片集成在同一个硅片上构成，每一个A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器，所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P-外延层及体淬灭电阻区、P++衬底层和背面阴极电极；其特征在于，所述P-外延层底部，相邻的体淬灭电阻区之间设置有P+掩埋隔离区。/n

【技术特征摘要】
1.一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器，所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P-外延层及体淬灭电阻区、P++衬底层和背面阴极电极；其特征在于，所述P-外延层底部，相邻的体淬灭电阻区之间设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁俊，黄兴，倪炜江，徐妙玲，黎磊，窦娟娟，耿伟，
申请(专利权)人：北京世纪金光半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11