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本实用新型公开了一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器，所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P‑外延层及体淬灭电阻区、P+掩埋隔离区、P++衬底和背面阴极电极。本申请采用半导体材料来...
该专利属于北京世纪金光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪金光半导体有限公司授权不得商用。

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