集成电路器件和方法技术

一种集成电路器件包括包含铝的第一金属层。集成电路器件包括包含互连结构的第二金属层。互连结构包括包含铝的第一材料层。集成电路器件包括包含铝的互扩散层。互扩散层紧邻第一金属层并且紧邻包含铝的第一材料层。集成电路器件包括包含铝的自形成阻挡层。自形成阻挡层紧邻电介质层并且紧邻包含铝的第一材料层。

Integrated circuit device and method

An integrated circuit device includes a first metal layer including an aluminum. The integrated circuit device includes a second metal layer including an interconnect structure. The interconnect structure includes a first material layer including aluminum. The integrated circuit device includes an interdiffusion layer including aluminum. The interdiffusion layer is adjacent to the first metal layer and is adjacent to the first material layer containing the aluminum. The integrated circuit device includes a self formed barrier layer including aluminum. The self forming barrier is adjacent to the dielectric layer and is adjacent to the first material layer containing the aluminum.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路器件和方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年1月21日提交的共同拥有的美国临时专利申请62/106,106号和非临时专利申请14/819,159号的优先权，其全部内容通过引用明确地并入本文。
本公开总体上涉及集成电路器件和方法。
技术介绍
技术的进步已经导致更小和更强大的计算设备。例如，各种便携式个人计算设备(包括无线电话，诸如移动和智能电话、平板电脑和膝上型电脑)是小型的、重量轻的、并且容易被用户携带。这些设备可以通过无线网络来传送语音和数据分组。此外，很多这样的设备包括附加功能，诸如数字静态相机、数字摄像机、数字记录器和音频文件播放器。此外，这样的设备可以处理可执行指令，包括可以用于访问因特网的软件应用，诸如web浏览器应用。因此，这些设备可以包括显著的计算能力。在计算设备中使用的集成电路(IC)器件也继续改变和改进。随着电子器件尺寸(例如，晶体管尺寸)的减小以及IC上的器件数目的增加，将电子器件互连变得更具挑战性。例如，随着金属线宽度和间距的减小，金属线的电阻增加(由于传导截面的减小(由于金属线的宽度减小))，并且金属线的电容增加(由于金属线之间的间隔减小)。增加的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，包括：包含铝的第一金属层；包括互连结构的第二金属层，其中所述互连结构包括包含铝的第一材料层；包含铝的互扩散层，所述互扩散层紧邻所述第一金属层并且紧邻所述包含铝的第一材料层；以及包含铝的自形成阻挡层，所述自形成阻挡层紧邻电介质层和所述包含铝的第一材料层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.21 US 62/106,106;2015.08.05 US 14/819,1591.一种集成电路器件，包括：包含铝的第一金属层；包括互连结构的第二金属层，其中所述互连结构包括包含铝的第一材料层；包含铝的互扩散层，所述互扩散层紧邻所述第一金属层并且紧邻所述包含铝的第一材料层；以及包含铝的自形成阻挡层，所述自形成阻挡层紧邻电介质层和所述包含铝的第一材料层。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述互扩散层与所述第一金属层直接接触。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述互扩散层包括Al9Co2。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二金属层包括通过气隙分离的第一金属线和第二金属线。5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中所述第二金属层还包括通过第二气隙与所述第一金属线分离的第三金属线。6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述气隙具有约12纳米(nm)的宽度。7.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：在电介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露包含铝的第一金属层的一部分；以及至少部分通过以下方式来形成互扩散层：紧邻所述第一金属层的所述部分选择性地形成传导层；以及紧邻所述传导层沉积第二金属层的材料，其中所述第二金属层的材料包括铝。8.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述第二金属层的材料包括沉积掺杂有铜的铝。9.根据权利要求7所述的方法，其中沉积所述第二金属层的材料包括沉积种子层。10.根据权利要求7所述的方法，还包括对所述第二金属层执行铝回流处理。11.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述第一开口包括对所述自形成阻挡层的部分执行原位H基处理。12.根据权利要求7所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·徐，包钧敬，J·J·朱，S·S·宋，N·N·莫朱梅德，C·F·耶普，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US