The invention provides an adsorption chuck, chamfer grinding device and silicon wafer chamfering grinding method, which is characterized in that: (11) with chuck adsorption adsorption chuck table (111), with a circular surface adsorption; adsorption (111A) (112), the protection pad is arranged on the adsorption surface (111A). The adsorption surface (111A) formed a division of the central region is located in the center of the side (111D) and is located in the peripheral side of the peripheral region (111E) concave annular or circular arc (111C), and the central region (111D) to form a concave part with a radial (111F), the adsorption protective pad (112) having a concave portion and the radial hole communicated with the opening (111F) (112A), the adsorption pad (112) in addition to the concave portion of the radial (111F) outside the central region (111D) adsorption surface and the bonding (111A).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法
本专利技术涉及一种吸附卡盘、倒角研磨装置、以及硅晶圆的倒角研磨方法。
技术介绍
大口径的硅晶圆中,通过双面研磨使正面和背面作为研磨面的规格成为主流。因此,不只对正面侧,对背面侧也提高了对污垢或损伤缺陷等的品质的要求。另一方面,对硅晶圆的倒角部的镜面品质的要求也提高,且必须实施倒角研磨。通常的倒角研磨中,如图1所示的倒角研磨装置1的吸附卡盘2上载置硅晶圆W,通过抽真空将硅晶圆W吸附保持于吸附卡盘2上。然后,在保持于吸附卡盘2的状态下使硅晶圆W高速旋转,供给研磨浆料,将具备研磨垫的研磨机构3压在倒角部,由此研磨倒角部。该倒角研磨中,将硅晶圆W吸附保持于吸附卡盘2,导致被吸附面产生接触痕等缺陷而成为课题。作为解决上述课题的方法,如图2所示,已知有在吸附面上具有用来抽真空的凹部2A的吸附卡盘台2B,贴附沿凹部2A的图案的形状的吸附保护垫2C的技术。在上述结构的吸附卡盘2中,将硅晶圆W吸附保持于具有柔软性的吸附保护垫2C上,由此降低对硅晶圆W的被保持面的吸附损伤。并且,作为与吸附卡盘相关的技术,已公开有设置可挠性的外凸缘,且 ...
【技术保护点】
一种吸附卡盘,其特征在于,具备:吸附卡盘台,具有圆形的吸附面;以及吸附保护垫,设置于所述吸附面,所述吸附面形成有划分位于中心侧的中央区域及位于外周侧的外周区域的环状或圆弧状的凹部,且所述中央区域形成有放射状的凹部,所述吸附保护垫具有与所述放射状的凹部连通的开口孔,所述吸附保护垫在除了所述放射状的凹部以外的所述中央区域与所述吸附面接合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.04 JP 2014-2456871.一种吸附卡盘,其特征在于,具备:吸附卡盘台,具有圆形的吸附面;以及吸附保护垫,设置于所述吸附面,所述吸附面形成有划分位于中心侧的中央区域及位于外周侧的外周区域的环状或圆弧状的凹部,且所述中央区域形成有放射状的凹部,所述吸附保护垫具有与所述放射状的凹部连通的开口孔,所述吸附保护垫在除了所述放射状的凹部以外的所述中央区域与所述吸附面接合。2.根据权利要求1所述的吸附卡盘,其特征在于,所述吸附保护垫为直径大于或等于所述吸附面的直径的圆形。3.一种倒角研磨装置,其特征在于,...
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