III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法技术

本发明专利技术提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

III V group element oxide removal liquid and removing method, III group V element compound solution, III group V element and semiconductor substrate, liquid oxidation treatment liquid and method of manufacturing semiconductor substrate products

The invention provides a containing acid and thiol compounds III V elements oxides, liquid or liquid antioxidant treatment liquid and the use of these methods, and the treatment of liquid semiconductor substrates containing acid and thiol compounds and the use of the process liquid semiconductor substrate manufacturing method.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种III-V族元素的氧化物的去除液及使用该去除液的去除方法、半导体基板的处理液。并且，本专利技术涉及一种III-V族元素的化合物的处理液、III-V族元素的抗氧化液、以及半导体基板产品的制造方法。
技术介绍
集成电路的制造由多阶段的各种加工工序构成。其制造过程中，一再反复进行多种材料的堆积、光刻、蚀刻等。其中，蚀刻和膜去除成为重要的工艺。不得不选择性地去除特定的材料，对于其他材料，避免腐蚀而使其残留。有时要求，以残留由类似的金属种类构成的层彼此或由防腐性更高的材料构成的层的形态，仅去除规定层。半导体基板内的配线和集成电路的尺寸越发减小，不会腐蚀应残留的部件而正确地进行膜去除等的重要性提高。若以场效应晶体管为例，则随着其快速的微细化，强烈要求形成于源极-漏极区域的上表面的硅化物层的薄膜化和新型材料的开发。并且，改变通常的MOSFET结构来提出有各种多栅极晶体管(MuFET)(参考专利文献1、非专利文献1)。例如，提出有Flexfet、FinFET、GAAFET、三栅极晶体管等具有复杂结构的晶体管，希望开发适于这些晶体管的制造技术。以往技术文献专利文献专利文献1：美国专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种III‑V族元素的氧化物的去除液，其含有酸与巯基化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.12 JP 2015-025478;2016.02.02 JP 2016-018051.一种III-V族元素的氧化物的去除液，其含有酸与巯基化合物。2.根据权利要求1所述的去除液，其中，所述巯基化合物含有羧基及羟基中的至少1个与硫醇基。3.根据权利要求1所述的去除液，其中，所述巯基化合物的碳原子数为1～12，且在分子内具有1个以上且4个以下的硫醇基。4.根据权利要求1至3中任一项所述的去除液，其中，所述酸为无机酸。5.根据权利要求4所述的去除液，其中，所述无机酸为盐酸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的去除液，其中，抑制或防止III-V族元素的溶出，以去除III-V族元素的氧化物。7.根据权利要求1至6中任一项所述的去除液，其中，所述III-V族元素为选自In、Ga、As及P中的至少1个。8.根据权利要求1至7中任一项所述的去除液，其中，含有0.05质量％以上且20质量％以下的所述酸。9.根据权利要求1至8中任一项所述的去除液，其中，含有0.01质量％以上且10质量％以下的所述巯基化合物。10.根据权利要求1至9中任一项所述的去除液，其中，所述巯基化合物以下述式(1)～(4)中的任一个表示，R1～R5分别独立地为氢原子、硫醇基、羟基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；R1～R5可相互键结而形成环；m及n为整数；m+n为1～12的整数；分子中的R1～R5中，1个以上作为羧基或羟基而存在；A为羧基或羟基；Cy为从环状脂肪族烃去除m1+n1+p1个氢原子的结构；R6为烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；n1、n2、p1、p2为1～4的整数；m1、m2为0～4的整数；其中，n2+m2+p2为6以下；HA表示从包含N的杂芳环去除m3+n3+p3个氢原子的结构；n3及m3为0～5的整数；p3为1～4的整数。11.一种处理液，其为含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液，其中，所述巯基化合物含有羧基及羟基中的至少1个与硫醇基。12.一种处理液，其为含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液，其中，所述巯基化合物的碳原子数为1～12，且在分子内具有1个以上且4个以下的硫醇基。13.根据权利要求11或12所述的处理液，其中，所述酸为无机酸。14.根据权利要求13所述的处理液，其中，所述无机酸为盐酸。15.根据权利要求11至14中任一项所述的处理液，其含有0.05质量％以上且20质量％以下的所述酸。16.根据权利要求11至15中任一项所述的处理液，其含有0.01质量％以上且10质量％以下的所述巯基化合物。17.根据权利要求11至16中任一项所述的处理液，其中，所述巯基化合物以下述式(1)～(4)中的任一个表示，R1～R5分别独立地为氢原子、硫醇基、羟基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；R1～R5可相互键结而形成环；m及n为整数；m+n为1～12的整数；分子中的R1～R5中，1个以上作为羧基或羟基而存在；A为羧基或羟基；Cy为从环状脂肪族烃去除m1+n1+p1个氢原子的结构；R6为烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；n1、n2、p1、p2为1～4的整数；m1、m2为0～4的整数；其中，n2+m2+p2为6以下；HA表示从包含N的杂芳环去除m3+n3+p3个氢原子的结构；n3及m3为0～5的整数；p3为1～4的整数。18.一种去除方法，其将含有酸与巯基化合物的处理液适用于III-V族元素的氧化物来去除所述III-V族元素的氧化物。19.根据权利要求18所述的去除方法，其中，抑制或防止III-V族元素的溶出，以去除III-V族元素的氧化物。20.根据权利要求18或19所述的去除方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥智美，朴星戊，水谷笃史，稻叶正，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP