功率器件制造技术

技术编号:16302068 阅读:39 留言:0更新日期:2017-09-26 20:14
本发明专利技术提供了一种高频功率器件,其包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;其中,所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置;与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指;其中,所述控制极叉指与所述输出极叉指交叉设置且彼此绝缘;设置于所述控制极馈电端和/或控制极叉指上的补偿元件。本发明专利技术通过调节各补偿元件,弥补高频信号在各叉指间的相位差别,从而避免各叉指工作不均匀,能大大提高器件的稳定性及放大特性。

power device

The invention provides a high frequency power device, which comprises: setting the relative control pole pad and output electrode pads; and the control electrode welding control panel connected to the very end of feed and welding output disk connected with the output end of a feed; among them, the very end of feed and control the output end of feed pole oppositely arranged; and the control gate feed end connection pole interdigital and an output pole connection pole output end of feed fork; wherein the control electrode interdigital and the output electrode of interdigital cross arranged and insulated from each other; arranged on the gate feed terminal and / or control pole interdigital compensation element on. The invention compensates the phase difference of the high-frequency signal at each fork by adjusting each compensating element, thereby avoiding the uneven work of each fork, and greatly improving the stability and amplification characteristics of the device.

【技术实现步骤摘要】
功率器件
本专利技术属于半导体
,具体地讲,涉及一种功率器件。
技术介绍
高频功率器件具有将高频信号(如射频、微波等信号)进行放大的作用,广泛应用于移动通信、广播电视、探测及雷达等领域。典型的功率器件根据材料和结构的不同主要有硅基的MOSFET和LDMOS、砷化镓基的MESFET、HBT和HEMT以及氮化镓基的HEMT等器件。由于要输出大功率,因此各类器件在布局上均采用多叉指并联的架构。但是对于高频信号,当信号频率提高时信号波长降低,对于叉指数较多的大功率器件,器件物理尺寸将增加至与信号波长可比拟的程度,使得信号在各叉指间传播时存在相位差及工作不均匀的情况,从而对器件工作的稳定性和合成功率输出的效果造成影响。因此,如何降低叉指间的相位失衡、使各叉指均匀工作是提高器件功率性能和可靠性的关键。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种功率器件,能够弥补器件各叉指间的相位失衡,提高功率器件的可靠性和输出性能。本专利技术提供的一种功率器件,其包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;本文档来自技高网...
功率器件

【技术保护点】
一种功率器件,其特征在于,包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;其中,所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置;与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指;其中,所述控制极叉指与所述输出极叉指交叉设置且彼此绝缘;设置于所述控制极馈电端和/或控制极叉指上的补偿元件。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件,其特征在于,包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;其中,所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置;与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指;其中,所述控制极叉指与所述输出极叉指交叉设置且彼此绝缘;设置于所述控制极馈电端和/或控制极叉指上的补偿元件。2.根据权利要求1所述的功率器件,其特征在于,所述控制极馈电端的数量为多个。3.根据权利要求2所述的功率器件,其特征在于,所述输出极馈电端的数量为多个;其中,每个控制极馈电端连接两个所述控制极叉指,每个输出极馈电端连接一个所述输出极叉指,每个输出极叉指对应插置于两个所述控制极叉指中。4.根据权利要求2或3所述的功率器件,其特征在于,在每个控制极馈电端上设置一个补偿元件,其中,在控制极馈电端上设置的所有补偿元件均为相同的补偿元件或者至少包括两个不相同的补偿元件。5.根据权利要求2或3所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件还包括:在每相邻的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘正东宋贺伦
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
类型:发明
国别省市:江苏,32

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