一种OLED微型显示器及其阳极键合方法技术

本发明专利技术涉及一种OLED微型显示器及其阳极键合方法，所述OLED微型显示器的阳极键合方法包括以下步骤：S1、在绝缘基板上制备凹槽；S2、以铜填埋所述凹槽后，制备铜连接柱；S3、在所述绝缘基板上制备OLED器件，得到预制OLED发光单元；S4、将所述预制OLED发光单元上的铜连接柱与IC片的正面键合，完成OLED微型显示器的阳极键合。本发明专利技术通过预制OLED发光单元，再将预制的OLED发光单元与IC片键合，从而避免出现因阳极像素和OLED发光单元在制备过程中形成的缺陷导致昂贵的IC片报废的问题，提高了IC片的利用率，降低了生产成本。

OLED micro display and anode bonding method thereof

The invention relates to a method and a OLED micro display and anodic bonding, anodic bonding of the OLED micro display method comprises the following steps: S1, preparation of grooves on the insulating substrate; S2, copper to the groove after the landfill, the preparation of copper connecting column; S3, the insulation in OLED device fabrication the substrate was prefabricated OLED luminous unit; S4, the positive key of the prefabricated OLED light emitting unit on copper connecting column and IC sheet, complete the OLED micro display of anodic bonding. The present invention is preformed by the OLED light emitting unit, then the prefabricated OLED light emitting unit bonding with IC, thereby avoiding IC expensive scrap problems caused by defects of anode pixels and OLED light emitting unit formed during the preparation process, improve the utilization rate of IC, reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED微型显示器及其阳极键合方法
本专利技术涉及OLED微型显示器制造领域，更具体地说，涉及一种OLED微型显示器的阳极键合方法，以及使用这种方法的OLED微型显示器。
技术介绍
OLED微型显示器属于一种硅基显示器。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸，可以实现显示芯片的高度集成化。一般的OLED微型显示器直接在IC片上制备像素结构和OLED单元，再经过薄膜封装、盖片封装等形式制备成微型显示器。其中IC片价格高昂，而像素和OLED单元在制备过程中形成的缺陷会导致昂贵的IC片报废。为避免此类问题，需要设计一种改进的方法，以提高IC片的利用率，降低生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种可以提高IC片的利用率、降低生产成本的OLED微型显示器的阳极键合方法，同时还提供了一种使用这种方法的OLED微型显示器。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种OLED微型显示器的阳极键合方法，包括以下步骤：S1、在绝缘基板上制备凹槽；S2、以铜填埋所述凹槽后，制备铜连接柱；S3、在所述绝缘基板上制备OLED器件，得到预制OLED发光单元；S4、将所述预制OLED发光单元上的铜连接柱与IC片的正面键合，完成OLED微型显示器的阳极键合。优选地，所述步骤S1包括：S11、在所述绝缘基板上制备与所述凹槽对应的图形；S12、在所述绝缘基板上根据所述图形刻蚀出所述凹槽。优选地，在所述步骤S12中，采用TSV工艺在所述绝缘基板上根据所述图形刻蚀出所述凹槽。优选地，在所述步骤S11中，采用光刻法在所述绝缘基板上制备与所述凹槽对应的光胶图形；在所述步骤S12中，采用TSV工艺在所述绝缘基板上根据所述光胶图形刻蚀出所述凹槽。优选地，在执行所述步骤S2前，还包括以下步骤：将所述绝缘基板上的所述图形除去。优选地，所述步骤S2包括：S21、采用电镀法对所述凹槽进行铜填埋；S22、对所述绝缘基板的正面和背面分别进行CMP工艺，直至所述绝缘基板的正面和背面露出所述铜连接柱。优选地，所述步骤S3包括：S31、在所述绝缘基板的正面对应所述铜连接柱制备阳极电极层；S32、在所述绝缘基板的正面依次制备OLED层、阴极电极层和密封层，得到所述预制OLED发光单元。优选地，所述步骤S4包括：将所述绝缘基板背面的铜连接柱与所述IC片的正面键合，完成OLED微型显示器的阳极键合。优选地，在所述步骤S3之后，所述步骤S4之前，还包括：对所述预制OLED发光单元进行老化测试、光学测试和电学测试后，挑选合格品进入所述步骤S4。本专利技术还构造了一种OLED微型显示器，包括IC片和预制OLED发光单元，所述预制OLED发光单元包括绝缘基板，所述绝缘基板上设有多个贯穿所述绝缘基板的铜连接柱；所述绝缘基板的正面依次设有阳极电极层、OLED层、阴极电极层和密封层，所述阳极电极层与所述铜连接柱相对应，所述绝缘基板背面的铜连接柱与所述IC片的正面键合。实施本专利技术，具有以下有益效果：通过预制OLED发光单元，再将预制的OLED发光单元与IC片键合，从而避免出现因阳极像素和OLED单元在制备过程中形成的缺陷导致昂贵的IC片报废的问题，提高了IC片的利用率，降低了生产成本。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1是本专利技术OLED微型显示器的阳极键合方法的流程图；图2-图8是本专利技术OLED微型显示器的阳极键合方法的各步骤中的结构示意图。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。本专利技术公开了一种OLED微型显示器的阳极键合方法，该方法通过预制OLED发光单元，再将预制的OLED发光单元与IC片键合，从而避免出现因阳极像素和OLED单元在制备过程中形成的缺陷导致昂贵的IC片报废的问题，提高了IC片的利用率，降低了生产成本。参阅图1-图8，本专利技术的一种OLED微型显示器的阳极键合方法包括以下步骤：S1、在绝缘基板1上制备凹槽3。该步骤S1包括以下步骤：S11、在绝缘基板1上制备与凹槽3对应的图形2(如图2所示)；S12、在绝缘基板1上根据图形2刻蚀出凹槽3(如图3所示)。优选地，在步骤S12中，采用TSV工艺在绝缘基板1上根据图形2刻蚀出凹槽3。进一步优选地，在步骤S11中，可以采用光刻法在绝缘基板1上制备与凹槽3对应的光胶图形，该光胶图形由光刻胶形成；在步骤S12中，可以采用TSV工艺在绝缘基板1上根据光胶图形刻蚀出凹槽3。本实施例中，这里所说的步骤S11-S12是指：先采用光刻法使光刻胶在绝缘基板1上形成一定的光胶图形，然后在绝缘基板1上没有光刻胶的地方刻蚀出凹槽3(如图2-图3)。本专利技术中提到的TSV即ThroughSiliconVia(穿透硅通孔技术)，其具体操作为：使用光刻及等离子刻蚀法在绝缘基板需要开孔的位置刻蚀出凹槽。优选地，该凹槽为深宽比大于10：1的凹槽。具体地，采用光刻法在绝缘基板1上制备与凹槽3对应的光胶图形包括以下步骤(步骤a-步骤d)：a、在黄光条件下，在绝缘基板1上覆上光刻胶。可以理解地，光刻胶对大部分可见光敏感，对黄光不敏感，在黄光室进行覆光刻胶的操作，可以避免其他可见光照射到光刻胶而发生曝光反应。光刻胶可以是固态光刻胶或者液态光胶，若是固态光刻胶，则可以采用覆膜方式将光刻胶覆到绝缘基板1上，若是胶状光刻胶，则可以用涂覆的方式将光刻胶涂覆到绝缘基板1上；b、将覆上光刻胶的绝缘基板1放置在掩膜版上，曝光光刻胶。在覆光刻胶时，应注意使光刻胶厚度均匀，若光刻胶的厚度不均匀，容易致使在曝光过程中，入射光与反射光之间相互干涉，而导致显影后，在侧壁上产生波浪状的不平整的现象；c、使用显影液将光刻胶上的图案显影，去除光刻胶中没有发生曝光反应的区域。可以理解地，光刻胶在显影液中溶解，而已发生曝光反应的光刻胶在显影液中没有溶解，故可去除没有发生曝光反应的区域；d、采用蚀刻液对绝缘基板1进行蚀刻，去除绝缘基板1中没有覆盖有已曝光的光刻胶的区域，得到凹槽3对应的光胶图形。可以理解地，蚀刻液为可与绝缘基板1反应而不与曝光后的光刻胶反应的溶液。在蚀刻过程中，蚀刻时间的控制至关重要；若蚀刻时间过短，容易导致需要蚀刻部分未完全蚀刻掉；若蚀刻时间过长，容易出现钻蚀现象。优选地，在步骤S1之后，执行步骤S2前，还包括以下步骤：将绝缘基板1上的图形2除去(如图4所示)。具体地，当图形2为光胶图形时，可以采用去墨液将光胶图形去除。S2、以铜4填埋凹槽3后，制备铜连接柱5(如图5所示)。优选地，该步骤S2包括：S21、采用电镀法对凹槽3进行铜填埋；S22、对绝缘基板1的正面和背面分别进行CMP工艺，直至绝缘基板1的正面和背面露出铜连接柱5(如图6所示)。即：对绝缘基板1的正面进行CMP工艺，直至绝缘基板1的正面露出铜连接柱5端面；对绝缘基板1的背面进行CMP工艺，直至绝缘基板1的背面露出铜连接柱5端面。本专利技术中提到的CMP是指化学机械抛光。其中，对绝缘基板1背面进行CMP工艺的操作步骤如下：(1)、将绝缘基板1的正面贴在抛光机机台上；(2)、加入抛光液；(3)、利用抛光液的化学腐蚀和机械研磨作用将绝缘基板1的背面厚度减薄，直至绝缘基板1背面露出铜连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED微型显示器的阳极键合方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在绝缘基板上制备凹槽；S2、以铜填埋所述凹槽后，制备铜连接柱；S3、在所述绝缘基板上制备OLED器件，得到预制OLED发光单元；S4、将所述预制OLED发光单元上的铜连接柱与IC片的正面键合，完成OLED微型显示器的阳极键合。

【技术特征摘要】
1.一种OLED微型显示器的阳极键合方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在绝缘基板上制备凹槽；S2、以铜填埋所述凹槽后，制备铜连接柱；S3、在所述绝缘基板上制备OLED器件，得到预制OLED发光单元；S4、将所述预制OLED发光单元上的铜连接柱与IC片的正面键合，完成OLED微型显示器的阳极键合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：S11、在所述绝缘基板上制备与所述凹槽对应的图形；S12、在所述绝缘基板上根据所述图形刻蚀出所述凹槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S12中，采用TSV工艺在所述绝缘基板上根据所述图形刻蚀出所述凹槽。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S11中，采用光刻法在所述绝缘基板上制备与所述凹槽对应的光胶图形，所述光胶图形由光刻胶形成；在所述步骤S12中，采用TSV工艺在所述绝缘基板上根据所述光胶图形刻蚀出所述凹槽。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述步骤S2前，还包括以下步骤：将所述绝缘基板上的所述图形除去。6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：S21、...

【专利技术属性】
技术研发人员：茆胜，
申请(专利权)人：茆胜，
类型：发明
国别省市：广东,44