一种micro‑LED的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体光电子技术领域，具体公开一种高效率micro‑LED的制备方法。本发明专利技术使用氮化镓（GaN）基LED外延片制备高效率低功耗micro‑LED芯片，外延片衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或同质氮化镓衬底。制备步骤包括刻蚀micro‑LED台面、沉积和刻蚀绝缘层、沉积n型和p型电极、退火形成欧姆接触、沉积互连电极、衬底剥离、衬底转移和表面粗化。所制备的micro‑LED的尺寸范围从1微米到100微米，并形成密集阵列，适用于微显示、光通信、生物医学、高分辨显微镜成像和荧光寿命测试等领域。

A preparation method of micro LED

The invention belongs to the technical field of semiconductor optoelectronics, preparation method and particularly discloses an efficient micro LED. The invention uses gallium nitride (GaN) based LED epitaxial wafer preparation with high efficiency and low power consumption micro LED chips, epitaxial substrate for sapphire substrate, the silicon substrate or homogeneous gallium nitride substrate. The preparation process includes etching micro LED mesa, deposition and etching the insulating layer, deposition of N type and P type electrode and annealed to form ohmic contact, depositing interconnection electrode, substrate stripping, substrate transfer and surface roughening. The size range of the prepared micro LED from 1 microns to 100 microns, and the formation of a dense array, suitable for micro display, optical communications, biomedical imaging, high-resolution microscopy and fluorescence lifetime testing etc..

【技术实现步骤摘要】
一种micro-LED的制备方法
本专利技术属于半导体光电子
，具体涉及一种高效率micro-LED的制备方法。
技术介绍
GaN基micro-LED具备尺寸小、可支持电流密度高、光电调制带宽高、阵列制备和发光效率高的优势，适用于微显示、可见光通信、生物医学、高分辨显微镜成像和荧光寿命测试等领域。传统的微显示产品技术主要包括液晶显示（LCD）、有机发光显示（OLED）、数字光处理（Digitallightprocessing）和激光光束转向（Laserbeamsteering）技术，但是在环境强光、高温等极端的环境中，比如太阳强光下和高温沙漠环境中，基于这些技术的产品就会出现亮度低、效率低、可靠性差的特点。而基于氮化镓（GaN）半导体材料制备的micro-LED微显示弥补了这些缺点，具有高亮度和高可靠性的优势。传统的固态照明商用LED的调制带宽在5MHz左右，严重限制了LED的可见光通信速度；micro-LED的调制带宽可达1GHz，并且可以使用micro-LED阵列进行并行通信，大大提高了通信速率。基于micro-LED的可见光通信具备对人体无辐射、带宽高和通信速率高的特点，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效率micro‑LED的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在氮化镓（GaN）基LED外延片上刻蚀micro‑LED台面阵列；（2）沉积p型电极，退火形成p型欧姆接触；（3）沉积绝缘层，并在将要制备电极的位置刻蚀开孔；（4）沉积n型电极，退火形成n型欧姆接触；（5）沉积n型和p型互连电极；（6）衬底剥离、衬底转移和表面粗化。

【技术特征摘要】
1.一种高效率micro-LED的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在氮化镓（GaN）基LED外延片上刻蚀micro-LED台面阵列；（2）沉积p型电极，退火形成p型欧姆接触；（3）沉积绝缘层，并在将要制备电极的位置刻蚀开孔；（4）沉积n型电极，退火形成n型欧姆接触；（5）沉积n型和p型互连电极；（6）衬底剥离、衬底转移和表面粗化。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述氮化镓基LED外延片用MOCVD或者MBE方法生长制备，外延片生长衬底为蓝宝石衬底，或者硅衬底，或者同质GaN衬底，氮化镓基LED外延片的发光波长范围从深紫外250nm到红光650nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述micro-LED的尺寸大小从1微米到100微...

【专利技术属性】
技术研发人员：田朋飞，刘冉，郑立荣，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海,31