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本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种高效率micro‑LED的制备方法。本发明使用氮化镓（GaN）基LED外延片制备高效率低功耗micro‑LED芯片，外延片衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或同质氮化镓衬底。制备步骤包括刻蚀micro‑LE...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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