一种高亮度LED芯片制造技术
A high brightness LED chip
The utility model discloses a high brightness LED chip, on the same substrate, respectively three LED chip unit in parallel, forming two parallel groups, in the two series, forming a light emitting group, the substrate distribution group light emitting group tandem light emitting group. Between the light emitting group distance of 0.1 0.2mm. The beneficial effects of the technical proposal is: the development of a LED chip to generate at least two units on the same substrate, the gap between the LED chip unit is minimized, omits a plurality of LED chip unit assembling process, reduces the light divergence angle.
【技术实现步骤摘要】
一种高亮度LED芯片
本技术涉及LED
，尤其是一种高亮度的LED芯片。
技术介绍
目前，LED芯片在照明或其他光源领域得到飞速的发展和应用，但是目前LED芯片的每一个最终产品，均只包含一个LED芯片单元，在应用中，当需要更大的功率或更大的发光面时，需要将数个LED芯片单元尽可能靠近的拼装在一起，封装工艺复杂，光的发散角较大，难以满足某些高要求的场所的需求。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术的目的是提供一种多个LED芯片一体成型的大发光面的高亮度LED芯片。为达到上述目的，本技术的技术方案是：一种高亮度LED芯片，在同一块基底上，分别将三个LED芯片单元并联，形成两个并联组，在将两个串联组，形成发光组。该基底上分布多组发光组，发光组之间串联。优选地，所述发光组之间的距离为0.1-0.2mm。优选的，所述基底包括蓝宝石基底、硅基底、碳化硅基底、陶瓷底、铜基底、或铜钨合金基底。优选的，所述基底为长方形、正方形、圆形或多边形。优选的，所述每个LED芯片单元的阳极和阴极至少一种相互电绝缘。采用本技术方案的有益效果是：采用在同一基底上一体生成至少两个LED芯片单元，使得LED芯片单元之间的间隙达到最小化，省略了多个LED芯片单元拼装的工序，降低了光的发散角。附图说明图1为现有技术的结构示意图；图2为本技术实施例的结构示意图。图中：1、第一LED放光单元；2、第二LED发光单元；3、第三LED发光单元；4、第四LED发光单元；5、第五LED发光单元；6、第六LED发光单元；7、第七LED发光单元；8、第八LED发光单元；9、第九LED发光单元；10、基板。具体实施方...
【技术保护点】
一种高亮度LED芯片，其特征在于：在同一块基底上，分别将三个LED芯片单元并联，形成两个并联组，在将两个串联组，形成发光组，该基底上分布多组发光组，发光组之间串联，所述基底为正方形陶瓷底，所述发光组之间的距离为0.1‑0.2mm。
【技术特征摘要】
1.一种高亮度LED芯片，其特征在于：在同一块基底上，分别将三个LED芯片单元并联，形成两个并联组，在将两个串联组，...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋金凤，
申请(专利权)人：深圳市华鑫伟天光电有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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