一种CHIP‑LED产品及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种CHIP‑LED制作方法，包括步骤：S1、在基板上制作线路层和导电孔；所述线路层包括位于基板正面的正面线路层和位于基板背面的背面线路层；S2、对基板正面进行等离子清洗；S3、在基板正面线路层上固定LED芯片；S4、在基板正面喷涂一层固体颗粒为纳米级或微米级的粘合剂，形成粘合剂层，所述粘合剂为热塑性溶剂胶；S5、在所述粘合剂层上覆盖封装胶，将基板、正面线路层、LED芯片封装为一体的半成品；S6、待粘合剂层固化干燥后，冷却，用切割设备将半成品切割成单个的CHIP‑LED。以及一种CHIP‑LED产品，所述封装胶靠近基板的一侧面设置有一层固体颗粒为纳米级或微米级的粘合剂层。本发明专利技术的制作方法和CHIP‑LED产品具有较好的气密性和防潮性。

A CHIP LED product and manufacturing method thereof

The invention discloses a method for producing CHIP, LED comprises the following steps: S1, production line layer and the conductive hole on the substrate; the wiring layer including the front line in the facade of the substrate layer and the back line layer is located on the back side of the substrate; the substrate, S2 positive plasma cleaning; S3, front line layer on a substrate fixed LED chip; S4, in the front substrate coated with a layer of adhesive for solid particles of nano or micron scale, the formation of the adhesive layer, the adhesive is thermoplastic glue; in S5, the adhesive layer covering the substrate and packaging glue, front line layer, LED chip package as a whole semi-finished products; S6, for curing the adhesive layer after drying, cooling, cutting equipment with half finished cutting into a single CHIP LED. And a CHIP LED products, one side of the plastic package near the substrate is provided with a layer of solid particles into the adhesive layer of nano or micro. The production method and the CHIP LED product has good air tightness and moisture resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种CHIP-LED产品及制作方法
本专利技术涉及LED封装
，尤其涉及一种CHIP-LED产品及制作方法。
技术介绍
随着室内显示应用技术的不断提高，室内小间距产品成为未来主要的技术拓展空间。现有技术中，小间距LED器件一般都为CHIP-LED，其长宽尺寸小于等于1mm，是通过封装胶将基板正面以及设置于基板正面的正面线路层和LED芯片封装为一体后，再通过切割设备切割而成的。封装胶的材料一般都是用环氧树脂或者硅胶等热固性塑料，切割后的CHIP-LED的封装胶与基板之间容易产生脱离，尤其是对于传统型的LED而言，其基板正面的电路线路较多，更容易发生封装胶与基板正面相分离的现象，且分离后难以修复，从而导致CHIP-LED产品的气密性和防潮性不好，在使用过程中具有较高的失效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种CHIP-LED产品及其制作方法，能够增强封装胶与基板的粘合力，防止切割后封装胶与基板分离，保证CHIP-LED产品具有较好的气密性和防潮性。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案一为：一种CHIP-LED制作方法，包括步骤：S1、在基板上制作线路层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CHIP‑LED制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、在基板上制作线路层和导电孔；所述线路层包括位于基板正面的正面线路层和位于基板背面的背面线路层；S2、对基板正面进行等离子清洗；S3、在基板正面线路层上固定LED芯片；S4、在基板正面喷涂一层固体颗粒为纳米级或微米级的粘合剂，形成粘合剂层，所述粘合剂为热塑性溶剂胶；S5、在所述粘合剂层上覆盖封装胶，将基板、正面线路层、LED芯片封装为一体的半成品；S6、待粘合剂层固化干燥后，冷却，用切割设备将半成品切割成单个的CHIP‑LED。

【技术特征摘要】
1.一种CHIP-LED制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、在基板上制作线路层和导电孔；所述线路层包括位于基板正面的正面线路层和位于基板背面的背面线路层；S2、对基板正面进行等离子清洗；S3、在基板正面线路层上固定LED芯片；S4、在基板正面喷涂一层固体颗粒为纳米级或微米级的粘合剂，形成粘合剂层，所述粘合剂为热塑性溶剂胶；S5、在所述粘合剂层上覆盖封装胶，将基板、正面线路层、LED芯片封装为一体的半成品；S6、待粘合剂层固化干燥后，冷却，用切割设备将半成品切割成单个的CHIP-LED。2.如权利要求1所述的CHIP-LED制作方法，其特征在于，所述粘合剂层的喷涂范围为整个基板正面或基板正面上除固晶区以外的区域，当喷涂范围为整个基板正面时，选用透明的粘合剂；当喷涂范围为基板正面上除固晶区以外的区域时，选用透明或不透明的粘合剂。3.如权利要求1所述的CHIP-LED制作方法，其特征在于，喷涂范围为整个基板正面，粘合剂的折射率大于1.45。4.如权利要求1所述的CHIP-LED制作方法，其特征在于，所述粘合剂为丙烯酸树脂、聚丙烯酸酯类、聚乙烯醇缩醛和聚甲基丙烯酸酯中的一种或几种。5.如权利要求1所述的CHIP-LED制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世诚，赵平林，刘世良，侯国忠，廖加成，
申请(专利权)人：深圳市洲明科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44