用于紫外光发射装置的封装制造方法及图纸

本申请案涉及用于紫外光发射装置的封装。本发明专利技术的实施例包含发光二极管LED，所述LED包含半导体结构。所述半导体结构包含安置在n型区与p型区之间的作用层。所述作用层发射UV辐射。所述LED安置在座架上。所述座架安置在传导棒上。支撑件环绕所述传导棒。所述支撑件包含安置在底部表面上的导电接触垫及安置在所述传导棒下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED。

Encapsulation for an ultraviolet light emitting device

The application relates to an encapsulation for an ultraviolet emitting device. Embodiments of the invention include a light emitting diode LED, which includes a semiconductor structure LED. The semiconductor structure includes a functional layer disposed between the N type region and the P type region. The action layer emits UV radiation. The LED is housed on the shelf. The pedestal is arranged on the conducting bar. The support surrounds the transmission rod. The support comprises a conductive contact pad disposed on the bottom surface and a heat conducting pad placed below the conductive rod, wherein the heat conducting pad is not electrically connected to the LED.

【技术实现步骤摘要】
用于紫外光发射装置的封装
本申请案涉及用于紫外光发射装置的封装。
技术介绍
III族氮化物材料(包含(Al、Ga、In)—N及其合金)的带隙从InN的极窄间隙(0.7eV)扩展到AlN的极宽间隙(6.2eV)，使得III族氮化物材料高度适于遍及从近红外光扩展到深紫外光的宽光谱范围的光电应用，例如发光二极管(LED)、激光二极管、光调制器及检测器。在作用层中使用InGaN可获得可见光LED及激光，而紫外光(UV)LED及激光则需要较大带隙的AlGaN。期望具有介于230nm到350nm范围内的发射波长的UVLED找到宽范围的应用，所述应用大部分是基于UV辐射与生物材料之间的相互作用。典型应用包含表面灭菌、空气消毒、水消毒、医疗装置及生物化学、用于超高密度光记录的光源、白光照明、荧光分析、感测及零排放汽车。
技术实现思路
本申请案的一个实施例涉及一种装置，所述装置包括：发光二极管(LED)，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区与p型区之间的作用层，其中所述作用层发射UV辐射；座架，其中所述LED安置在所述座架上；支撑件，其环绕传导棒，所述支撑件包括安置在底部表面上的导电接触垫及安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，其包括：发光二极管LED，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区与p型区之间的作用层，其中所述作用层发射UV辐射；座架，其中所述LED安置在所述座架上；支撑件，其环绕传导棒，所述支撑件包括安置在底部表面上的导电接触垫及安置在所述传导棒下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED；其中所述座架安置在所述传导棒上；电路板，其中支撑件安置在所述电路板上；及热导管，其安置在所述支撑件及所述电路板中的一者中。

【技术特征摘要】
2016.03.07 US 15/063,2601.一种装置，其包括：发光二极管LED，其包括半导体结构，所述半导体结构包括安置在n型区与p型区之间的作用层，其中所述作用层发射UV辐射；座架，其中所述LED安置在所述座架上；支撑件，其环绕传导棒，所述支撑件包括安置在底部表面上的导电接触垫及安置在所述传导棒下方的导热垫，其中所述导热垫不电连接到所述LED；其中所述座架安置在所述传导棒上；电路板，其中支撑件安置在所述电路板上；及热导管，其安置在所述支撑件及所述电路板中的一者中。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘赛锦，张莉，道格拉斯·A·柯林斯，
申请(专利权)人：紫岳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US