石英晶片加工方法技术

本发明专利技术提供了一种石英晶片加工方法，其步骤包括提供一种由多个石英晶片原片自前向后排列粘结制取的晶砣，首先在所述晶砣的上、下表面粘结保护板并将其粘结在料板上，得到晶砣待加工体；然后对所述晶砣待加工体的左表面或右表面依次进行线切割和研磨处理，制得晶砣一次研磨体，最后对所述晶砣一次研磨体的上表面依次进行线切割和研磨处理，制得晶砣研磨体成品；采用化解液将所述晶砣研磨体成品化解开，得到切割研磨后的石英晶片单片。该方法通过保护板对石英晶片边缘和拐角部位的保护作用，从而能极大降低位于晶砣边沿的石英晶片产生缺角和碎裂的现象且该方法步骤简单、易于操作。

Method for processing quartz wafer

The invention provides a wafer processing method, comprising the steps provided by a plurality of quartz crystal in the country from the front to back the original film prepared first in bond arrangement, the grain weight of the upper and lower surface of adhesive protective plate and the adhesive on board, are to be processed and grain weight; the crystal to be processed body weight of left or right turn surface surface cutting and grinding processing, prepared a weight crystal grinding body, finally on the surface of the crystal in the country once the grinding body in wire cutting and polishing crystal prepared by grinding body weight products; solution the grain weight of finished grinding body to get the monolithic quartz wafer cutting and grinding. The protective plate of quartz wafer edge and corner sites of the protective effect, which can greatly reduce the weight of the edge of the quartz crystal in crystal have missing angle and fragmentation of the phenomenon and the method is simple and easy to operate.

【技术实现步骤摘要】
石英晶片加工方法
本专利技术涉及石英晶片加工
，具体的说，涉及了一种石英晶片加工方法。
技术介绍
目前，石英晶片的加工过程是先将晶砣切割成一个个石英晶片，然后再将这些石英晶片进行封装成半导体晶片。其中晶砣的切割和研磨过程非常重要，现有技术中一般采用线切割机对晶砣进行切割和采用平面研磨机对切割后的晶砣进行研磨。由于晶砣是由多个厚度较薄、易碎的石英晶片原片粘结而成，在受到外力作用时会出现因粘结力不够导致晶砣散开的现象，同时位于晶砣外围的石英晶片原片还会受到冲击力导致晶片缺角现象。为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种成本低廉、能有效避免晶片缺角的石英晶片加工方法。为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种石英晶片加工方法，其步骤包括：粘结保护板：提供一种晶砣，该晶砣中多个石英晶片原片由前至后排列，分别在所述晶砣的上表面和下表面粘结保护板，得到晶砣保护体；制备晶砣待加工体：提供一种料板，将所述晶砣保护体的下表面粘结在所述料板上，得到晶砣待加工体；加工晶砣左右面：首先将所述晶砣待加工体固定在线切割机上，以平行于所述晶砣待加工体的石英晶片排布的方向为切割方向，采用线切割机对所述晶砣待加工体的左端或右端进行线切割处理，得到具有一次切割面的半成品晶砣切割体，然后采用研磨机对所述一次切割面进行研磨处理，制得晶砣一次研磨体；其中，将所述晶砣待加工体固定在线切割机上时，所述晶砣待加工体中的石英晶片排列方向为由前至后排列；加工晶砣上下面：首先将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上，以垂直于所述晶砣一次研磨体中的石英晶片排布的方向为加工方向，采用所述线切割机对所述晶砣一次研磨体的上端进行线切割处理，得到具有二次切割面的成品晶砣切割体，然后采用所述研磨机对所述二次切割面进行研磨处理，制得晶砣研磨体成品；其中，将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上时，所述晶砣一次研磨体的石英晶片排列方向为由前至后排列；制取切割研磨后的石英晶片：采用化解液将所述晶砣研磨体成品化解开，得到多个切割研磨后的石英晶片单片。基于上述，所述的石英晶片加工方法还包括采用清洗液对所述切割研磨后的石英晶片单片进行浸泡或喷淋处理，制得洁净的多个所述切割研磨后的石英晶片单片的步骤。基于上述，所述粘结保护板的步骤包括先分别在所述晶砣的前表面和后表面粘结所述保护板，再在所述晶砣的上表面和下表面粘结所述保护板。基于上述，所述粘结保护板的步骤还包括采用酒精分别对所述晶砣的上表面、下表面、前表面和后表面以及所述保护板的上表面和下表面进行清洁处理的分步骤。基于上述，所述保护板为浮法玻璃板，所述浮法玻璃板的平行度小于0.01mm，所述浮法玻璃板的平面度小于0.01mm。基于上述，位于所述晶砣的上表面的保护板的形状与所述晶砣的上表面的形状相同，位于所述晶砣的下表面的保护板的形状与所述晶砣的下表面的形状相同，位于所述晶砣的前表面的保护板的形状与所述晶砣的前表面的形状相同，位于所述晶砣的后表面的保护板的形状与所述晶砣的后表面的形状相同。需要说明的是：分别在所述晶砣的上表面、所述晶砣的下表面、所述晶砣的前表面和所述晶砣的后表面粘结所述保护板时，需要手指按压所述保护板10秒-15秒，以保证晶砣与所述护板完全粘接好，中间不存在气泡。在所述制取切割研磨后的石英晶片步骤中所使用的化解液为本行业通用的化解液。本专利技术相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具体的说，本专利技术所提供的石英晶片加工方法中，首先在晶砣的上、下表面粘结上保护板，通过该保护板对石英晶片边缘和拐角部位的保护作用，从而极大降低了位于晶砣边沿的石英晶片产生缺角和碎裂的现象。同时，也能有限避免晶砣在线切割加工过程中因让刀量小造成的最外面的石英晶片切废的状况；并能有效降低研磨过程中因晶砣粘结力不强导致的石英晶片容易散掉的现象。本专利技术所提供的石英晶片加工方法还具有步骤简单、易于操作的优点。附图说明图1是本专利技术提供的石英晶片加工方法的工艺流程图。图2是本专利技术提供的石英晶片加工方法中的晶砣结结构示意图。图3是本专利技术提供的石英晶片加工方法中晶砣与保护板分解状态结构示意图。图4是本专利技术提供的石英晶片加工方法中晶砣与保护板粘结状态结构示意图。图中：1、石英晶片原片；2、上表面；3、右表面；4、前表面；5、上浮法玻璃板；6、下浮法玻璃板；7、前浮法玻璃板；8、后浮法玻璃板。具体实施方式下面通过具体实施方式，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。实施例1本实施例提供一种石英晶片加工方法，具体工艺流程如图1所示，包括以下步骤：粘结保护板：首先分别选取与所述晶砣的上表面形状相同的上浮法玻璃板5、与所述晶砣的下表面形状相同的下浮法玻璃板6、与所述晶砣的前表面形状相同的前浮法玻璃板7、与所述晶砣的后表面形状相同的后浮法玻璃板8，采用酒精对上述玻璃板进行清洁处理；然后对多个石英晶片原片1依次进行排版处理和预热处理，并将经排版处理和预热处理后的所示多个石英晶片原片1依次进行渗蜡处理和定型处理，由多个所述石英晶片原片1自前向后排列粘结制取的晶砣；该晶砣具体结构如图2所示；最后采用酒精分别对所述晶砣的上表面2、所述晶砣的下表面、所述晶砣的前表面4、所述晶砣的后表面进行清洁；并在所述晶砣的上表面2上粘结所述上浮法玻璃板5、在所述晶砣的下表面上粘结所述下浮法玻璃板6、在所述晶砣的前表面4上粘结所述前浮法玻璃板7、在所述晶砣的后表面上粘结所述后浮法玻璃板8，得到晶砣保护体；该晶砣保护体具体结构如图3和图4所示；其中，所述浮法玻璃板的平行度小于0.01mm，所述浮法玻璃板的平面度小于0.01mm，粘结后需要按压所述浮法玻璃板10秒钟；制备晶砣待加工体：提供一种料板，将所述晶砣保护体的下表面粘结在所述料板上，得到晶砣待加工体；加工晶砣左右面：首先将所述晶砣待加工体固定在线切割机上，以平行于所述晶砣待加工体的石英晶片排布的方向为切割方向，采用线切割机对所述晶砣待加工体的左端或右端进行线切割处理，得到具有一次切割面的半成品晶砣切割体，然后采用研磨机对所述一次切割面进行研磨处理，制得晶砣一次研磨体；其中，将所述晶砣待加工体固定在线切割机上时，所述晶砣待加工体中的石英晶片排列方向为由前至后排列；加工晶砣上下面：首先将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上，以垂直于所述晶砣一次研磨体中的石英晶片排布的方向为加工方向，采用所述线切割机对所述晶砣一次研磨体的上端进行线切割处理，得到具有二次切割面的成品晶砣切割体，然后采用所述研磨机对所述二次切割面进行研磨处理，制得晶砣研磨体成品；其中，将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上时，所述晶砣一次研磨体的石英晶片排列方向为由前至后排列；制取切割研磨后的石英晶片：采用化解液将所述晶砣研磨体成品化解开，得到多个切割研磨后的石英晶片单片。最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本专利技术进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本专利技术的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本专利技术技术方案的精神，其均应涵盖在本专利技术请求保护的技术方案范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石英晶片加工方法，其步骤包括：粘结保护板：提供一种晶砣和一种保护板，该晶砣中多个石英晶片原片由前至后排列，分别在所述晶砣的上表面和下表面粘结所述保护板，得到晶砣保护体；制备晶砣待加工体：提供一种料板，将所述晶砣保护体的下表面粘结在所述料板上，得到晶砣待加工体；加工晶砣左右面：首先将所述晶砣待加工体固定在线切割机上，以平行于所述晶砣待加工体的石英晶片排布的方向为切割方向，采用线切割机对所述晶砣待加工体的左端或右端进行线切割处理，得到具有一次切割面的半成品晶砣切割体，然后采用研磨机对所述一次切割面进行研磨处理，制得晶砣一次研磨体；其中，将所述晶砣待加工体固定在线切割机上时，所述晶砣待加工体中的石英晶片排列方向为由前至后排列；加工晶砣上下面：首先将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上，以垂直于所述晶砣一次研磨体中的石英晶片排布的方向为加工方向，采用所述线切割机对所述晶砣一次研磨体的上端进行线切割处理，得到具有二次切割面的成品晶砣切割体，然后采用所述研磨机对所述二次切割面进行研磨处理，制得晶砣研磨体成品；其中，将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上时，所述晶砣一次研磨体的石英晶片排列方向为由前至后排列；制取切割研磨后的石英晶片：采用化解液将所述晶砣研磨体成品化解开，得到多个切割研磨后的石英晶片单片。...

【技术特征摘要】
1.一种石英晶片加工方法，其步骤包括：粘结保护板：提供一种晶砣和一种保护板，该晶砣中多个石英晶片原片由前至后排列，分别在所述晶砣的上表面和下表面粘结所述保护板，得到晶砣保护体；制备晶砣待加工体：提供一种料板，将所述晶砣保护体的下表面粘结在所述料板上，得到晶砣待加工体；加工晶砣左右面：首先将所述晶砣待加工体固定在线切割机上，以平行于所述晶砣待加工体的石英晶片排布的方向为切割方向，采用线切割机对所述晶砣待加工体的左端或右端进行线切割处理，得到具有一次切割面的半成品晶砣切割体，然后采用研磨机对所述一次切割面进行研磨处理，制得晶砣一次研磨体；其中，将所述晶砣待加工体固定在线切割机上时，所述晶砣待加工体中的石英晶片排列方向为由前至后排列；加工晶砣上下面：首先将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上，以垂直于所述晶砣一次研磨体中的石英晶片排布的方向为加工方向，采用所述线切割机对所述晶砣一次研磨体的上端进行线切割处理，得到具有二次切割面的成品晶砣切割体，然后采用所述研磨机对所述二次切割面进行研磨处理，制得晶砣研磨体成品；其中，将所述晶砣一次研磨体固定在所述线切割机上时，所述晶砣一次研磨体的石英晶片排列方向为由前至后排列；制取切割研磨后的石英晶片：采用化解液将...

【专利技术属性】
技术研发人员：申红卫，李健，翟艳飞，
申请(专利权)人：济源石晶光电频率技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41