使用升压电路的电平移位器电路制造技术
A level shifter circuit using a boost circuit
The embodiment of the present invention provides a level shifter circuit using a boost circuit. The boost circuit is configured to improve the operation of the level shifter circuit when the high voltage difference across the voltage domain of the level shifter circuit is large. The circuit device of the level shifter circuit includes a core level shifter circuit that changes the first voltage of an input signal to a second voltage of an output signal. The circuit device further comprises a first booster circuit, which is coupled to the core level shifter circuit and the input signal into a high value from a low value at the first instant when applied to the core of the level shifter circuit voltage. The circuit device also includes a second boost circuit, which is coupled to the core level shifter circuit and the input signal from the high value into a low value in the generated when applied to the core of the level shifter circuit second transient voltage.
【技术实现步骤摘要】
使用升压电路的电平移位器电路
本专利技术实施例大体上涉及一种使用升压电路的电平移位器电路。所述升压电路经配置以在例如跨越所述电平移位器电路的电压域的高电压相差较大时改进所述电平移位器电路的操作。
技术介绍
电平移位器电路是可用于将信号从一个逻辑电平转换成另一逻辑电平的电路。举例来说，电平移位器电路可用于使用不同电压电平(例如，针对高电压的不同值)的两个电路之间。电平移位器电路可放置于这两个电路之间，以将一种电压转换成另一种电压，使得两个电路中的每一者都能够基于对应高电压值检测(例如)高信号。电平移位器电路用于各种电路中，例如(但不限于)静态随机存取存储器(SRAM)及双轨SRAM电路，其中与连接到较低电压的SRAM外围电路的剩余部分不同，SRAM单元是连接到较高电压。电平移位器电路用于上移进入SRAM单元的信号。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电路设备，其包括：核心电平移位器电路，其经配置以将输入信号的第一电压改变成输出信号的第二电压；第一升压电路，其耦合到所述核心电平移位器电路并经配置以在所述输入信号从低值转变成高值时产生施加于所述核心电平移位器电路的第一瞬...
【技术保护点】
一种电路设备，其包括：核心电平移位器电路，其经配置以将输入信号的第一电压改变成输出信号的第二电压；第一升压电路，其耦合到所述核心电平移位器电路并经配置以在所述输入信号从低值转变成高值时产生施加于所述核心电平移位器电路的第一瞬变电压；及第二升压电路，其耦合到所述核心电平移位器电路并经配置以在所述输入信号从高值转变成低值时产生施加于所述核心电平移位器电路的第二瞬变电压。
【技术特征摘要】
2016.03.09 US 15/065,1661.一种电路设备，其包括：核心电平移位器电路，其经配置以将输入信号的第一电压改变成输出信号的第二电压；第一升压电路，其耦合到所述核心电平移...
【专利技术属性】
技术研发人员：马木特·辛格尔，柯欣欣，郑基廷，陈炎辉，廖宏仁，张琮永，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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