The utility model discloses a level conversion circuit, the circuit comprises a first inverter and the second inverter and the third inverter, the first NMOS tube, second NMOS tube, third NMOS tube, fourth NMOS tube, fifth NMOS tube, sixth NMOS tube, PMOS tube, the first second primary PMOS tube, NPN tube group third, PMOS tube, fourth PMOS tube. Among them, the primary NPN tube group consists of a first NPN tube and a second NPN tube. The level conversion circuit can ensure the over voltage breakdown inside the MOS pipe in the external power supply voltage level conversion circuit under the condition that all MOS work less than the breakdown voltage and the work in safe working voltage range, which not only can guarantee the level required for conversion performance, but also can improve the reliability of the circuit, in order to ensure the normal operation of the circuit.
【技术实现步骤摘要】
电平转换电路
本技术属于集成电路设计领域,尤其涉及一种实现BiCMOS工艺的电平转换功能,并保证所有的MOS管的工作点不超过其的击穿耐压值的电平转换电路。
技术介绍
电平转换电路被广泛应用于各种接口电路及输入输出单元,用来实现不同电平的逻辑转换。在现代先进的BiCMOS集成电路设计中,内部电路一般工作在较低的电压,比如1.2V,1.8V,而外部的接口数据电压比较高,比如3.3V,5V等。因此,电平转换电路成为其中一个比较关键的电路,其负责将内部较低的电压提升到外部较高的接口数据电压。图1显示传统的电平转换电路的结构示意图。如图1所示,传统的电平转换电路包括倒相器INV、NMOS管M1和M2、以及PMOS管M3和M4。NMOS管M1和M2的漏极端分别连接PMOS管M3和M4的漏极端。NMOS管M1和M2的源极端分别接地。PMOS管M3和M4的源极端分别接入电源电压VCC,电源电压VCC是较高电压。输入信号IN经过倒相器INV,倒相器INV的输出控制NMOS管M2的栅极端,且输入信号IN控制NMOS管M1的栅极端,其中,倒相器INV的电源电压VDD是较低电压。PMOS管M3的栅极端与NMOS管M2的漏极端(PMOS管M4的漏极端)连接。PMOS管M4的栅极端与NMOS管M1的漏极端(PMOS管M3的漏极端)连接。输出信号OUT从PMOS管M4的漏极端(NMOS管M2的漏极端)获得。在图1所示的电平转换电路中,当输入信号IN是VDD时,NMOS管M2和PMOS管M3截止,NMOS管M1和PMOS管M4导通,输出信号OUT将为高电平VCC。当输入信号IN是低电平时 ...
【技术保护点】
一种电平转换电路,其特征在于,包括:第一倒相器,其输入端输入输入信号IN;第二倒相器,其输入端与第一倒相器的输出端连接;第三倒相器,其输入端与第二倒相器的输出端连接;第一NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第一倒相器的输出端;第二NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第二倒相器的输出端;第三NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第三倒相器的输出端;第四NMOS管,其源极端连接第一NMOS管的漏极端;第五NMOS管,其源极端连接第二NMOS管的漏极端;第六NMOS管,其源极端连接第三NMOS管的漏极端;第一PMOS管;第二PMOS管;初级NPN管组,其包括第一NPN管和第二NPN管,第一NPN管的集电极与第一PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第四NMOS管的漏极端连接,第二NPN管的集电极与第二PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第五NMOS管的漏极端连接;第三PMOS管,栅极端与第二PMOS管的漏极端连接;第四PMOS管,其源极端与第三PMOS管的漏极端连接,漏极端与第六NMOS管的漏极端连接,其中,从第四PMOS管的源极端输出输出信号OUT。
【技术特征摘要】
2016.12.15 CN 20162137935381.一种电平转换电路,其特征在于,包括:第一倒相器,其输入端输入输入信号IN;第二倒相器,其输入端与第一倒相器的输出端连接;第三倒相器,其输入端与第二倒相器的输出端连接;第一NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第一倒相器的输出端;第二NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第二倒相器的输出端;第三NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第三倒相器的输出端;第四NMOS管,其源极端连接第一NMOS管的漏极端;第五NMOS管,其源极端连接第二NMOS管的漏极端;第六NMOS管,其源极端连接第三NMOS管的漏极端;第一PMOS管;第二PMOS管;初级NPN管组,其包括第一NPN管和第二NPN管,第一NPN管的集电极与第一PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第四NMOS管的漏极端连接,第二NPN管的集电极与第二PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第五NMOS管的漏极端连接;第三PMOS管,栅极端与第二PMOS管的漏极端连接;第四PMOS管,其源极端与第三PMOS管的漏极端连接,漏极端与第六NMOS管的漏极端连接,其中,从第四PMOS管的源极端输出输出信号OUT。2.如权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于:所述第四NMOS管,所述第五NMOS管、所述第六NMOS管的栅极端分别输入低电位电压VDD,所述第一倒相器、所述第二倒相器、所述第三倒相器的电源电压为所述低电位电压VDD。3.如权利要求1或2所述的电平转换电路,其特征在于:所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆建华,马杰,周帅林,
申请(专利权)人:江苏安其威微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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