本发明公开了一种电平转换电路，该电路包括第一倒相器、第二倒相器、第三倒相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、初级NPN管组、第三PMOS管、...

一种信号幅度的控制装置，包括可变增益放大器，以及连接到可变增益放大器的差分信号峰值检波器。差分信号峰值检波器进一步包括差分参考电压源；电压比较器，电压比较器的输入端与差分参考电压源和可变增益放大器的输出端连接；电荷泵，电荷泵的输入端与电...

本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种可变增益放大器。本发明的可变增益放大器包括：电阻衰减网络、第一跨导级、第二跨导级和控制电路，其中，电阻衰减网络用于设置离散的增益点；第一跨导级和所述第二跨导级用于接收衰减网络出来的信号并进行叠加；...

一种低电压高线性度的放大器。该放大器输入端采用互补跨导CMOS管，并且为CMOS管的两个MOS管分别设置独立偏置电路。在电源电压小于二到三倍的单管阈值电压的情况下，该放大器还能提供大输出摆幅、高增益、高线性度。在较大的电源电压变化下，该...

一种MIM电容的ESD保护电路，该ESD保护电路由N个通过D极‑S极顺序相连的FET组成，N个FET的G极均接地，其中第一个FET的S极连接到MIM电容的一端，第N个FET的D极连接到MIM电容的另一端，以使得N个FET串联后组成的ES...

一种低电压高线性度的放大器。该放大器输入端采用互补跨导CMOS管，并且为CMOS管的两个MOS管分别设置独立偏置电路。在电源电压小于二到三倍的单管阈值电压的情况下，该放大器还能提供大输出摆幅、高增益、高线性度。在较大的电源电压变化下，该...

一种MIM电容的ESD保护电路，该ESD保护电路由N个通过D极‑S极顺序相连的FET组成，N个FET的G极均接地，其中第一个FET的S极连接到MIM电容的一端，第N个FET的D极连接到MIM电容的另一端，以使得N个FET串联后组成的ES...

本实用新型提供一种WiFi射频前端装置，包括：第一切换单元，低噪声放大器，第二切换单元，所述第一切换单元的一端与天线端口连接，所述第一切换单元的另一端可切换地与发射通道端口、所述低噪声放大器的输入端、所述第二切换单元的一端中的一个连接，...

本实用新型公开了一种电平转换电路，该电路包括第一倒相器、第二倒相器、第三倒相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、初级NPN管组、第三PMOS...

本实用新型涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种可变增益放大器。本实用新型的可变增益放大器包括：电阻衰减网络、第一跨导级、第二跨导级和控制电路，其中，电阻衰减网络用于设置离散的增益点；第一跨导级和所述第二跨导级用于接收衰减网络出来的信号并进...

一种信号幅度的控制装置，包括可变增益放大器，以及连接到可变增益放大器的差分信号峰值检波器。差分信号峰值检波器进一步包括差分参考电压源；电压比较器，电压比较器的输入端与差分参考电压源和可变增益放大器的输出端连接；电荷泵，电荷泵的输入端与电...