低电压高线性度的放大器制造技术

一种低电压高线性度的放大器。该放大器输入端采用互补跨导CMOS管，并且为CMOS管的两个MOS管分别设置独立偏置电路。在电源电压小于二到三倍的单管阈值电压的情况下，该放大器还能提供大输出摆幅、高增益、高线性度。在较大的电源电压变化下，该放大器的增益、工作电流、跨导、输出阻抗都非常稳定。

【技术实现步骤摘要】
低电压高线性度的放大器
本技术属于集成电路
，具体涉及一种低电压高线性度的放大器电路。
技术介绍
在宽带应用领域，放大器具有阻性负载的同时我们希望工作电源电压要小于二到三倍的单管阈值电压。设计能提供大输出摆幅、高增益、高线性度的放大器具有非常大的挑战。目前现有技术中，多采用单管电阻负载共源放大器、基于反向器的放大器以及差分形式基于反向器的放大器等放大器。然而，对驱动宽带ADC的前端放大器来说，它的电压输出摆幅必须要比ADC的满量程要大，并且它的线性度要可比拟或高于ADC的线性度来保证整体系统的线性度。它的输出一般都选择偏置在电源和地之间的正中心。对长沟道工艺来说，击穿电压和电源电压都足够大，电压裕度的限制在这里并不是紧要问题。器件线性度主要由偏置条件和输入端器件的特性来决定。但是对具有低击穿电压和电源电压的超短沟道工艺来说，前面的结论已不再正确。对45nmCMOS工艺中的典型晶体管的线性度研究发现，线性度主要由输出端口的条件决定，尤其是电压裕度。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有的技术不足，提供一种低电压高线性度的放大器电路。本技术的上述目的是通过如下技术方案实现的：一种低电压高线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压高线性度的放大器，包括输入端以及输出端，其特征在于所述放大器包括互补CMOS跨导管，所述互补CMOS跨导管由第一P型MOS和第二N型MOS组成；并且所述输入端分别与所述第一P型MOS的第一G极和所述第二N型MOS的第二G极连接，所述输入端与所述第一G极之间具有电容，并且所述输入端与所述第二G极之间具有电容；其中所述第一P型MOS由第一偏置电路提供第一偏置电流。

【技术特征摘要】
2016.12.16 CN 20162138420891.一种低电压高线性度的放大器，包括输入端以及输出端，其特征在于所述放大器包括互补CMOS跨导管，所述互补CMOS跨导管由第一P型MOS和第二N型MOS组成；并且所述输入端分别与所述第一P型MOS的第一G极和所述第二N型MOS的第二G极连接，所述输入端与所述第一G极之间具有电容，并且所述输入端与所述第二G极之间具有电容；其中所述第一P型MOS由第一偏置电路提供第一偏置电流。2.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第二N型MOS由第二偏置电路提供第二偏置电流。3.如权利要求2所述的放大器，其特征在于，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路采用电流镜形式。4.如权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述输入端经由电容电阻串联电路与...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆建华，马杰，张侨，
申请(专利权)人：江苏安其威微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32